Multiwibrator astabilny
Multiwibrator astabilny
Witam,
mając klasyczny multiwibrator astabilny taki jak tu:
http://pl.wikipedia.org/wiki/Multiwibra ... _astabilny
chciałbym zewnętrznym sygnałem sterować współczynnikiem wypełnienia (od prawie zera do 50%). Jak to zrobić? (nie przeszkadza mi zwiększenie częstotliwości przy sterowaniu).
Miałem pomysł, żeby równolegle do do R2 dać tranzystor z opornikiem który zwiększałby szybkość ładowania C1. Jestem początkujący i nie wiem czy takie rozwiązanie ma szanse działać? Wszelkie pomysły mile widziane.
Pozdrawiam,
Radek.
mając klasyczny multiwibrator astabilny taki jak tu:
http://pl.wikipedia.org/wiki/Multiwibra ... _astabilny
chciałbym zewnętrznym sygnałem sterować współczynnikiem wypełnienia (od prawie zera do 50%). Jak to zrobić? (nie przeszkadza mi zwiększenie częstotliwości przy sterowaniu).
Miałem pomysł, żeby równolegle do do R2 dać tranzystor z opornikiem który zwiększałby szybkość ładowania C1. Jestem początkujący i nie wiem czy takie rozwiązanie ma szanse działać? Wszelkie pomysły mile widziane.
Pozdrawiam,
Radek.
- przemotronik
- Użytkownik
- Posty: 252
- Rejestracja: 18 paź 2006, 19:30
- Lokalizacja: Wrocław
Szczerze mówiąc, średnio widzę możliwości pracy takiego multiwibratora-pamiętaj, że obwód CE tranzystorka bipolarnego to nie regulowany prądem bazy rezystor, a źródło prądowe.radekg pisze:chciałbym zewnętrznym sygnałem sterować współczynnikiem wypełnienia (od prawie zera do 50%). Jak to zrobić? (nie przeszkadza mi zwiększenie częstotliwości przy sterowaniu).
Miałem pomysł, żeby równolegle do do R2 dać tranzystor z opornikiem który zwiększałby szybkość ładowania C1. Jestem początkujący i nie wiem czy takie rozwiązanie ma szanse działać? Wszelkie pomysły mile widziane.
Nawet, jeżeli taki układ miałby funkcjonować, należy zwrócić uwagę na dwa drobiazgi: po pierwsze, wypełnienie bliskie 0% byłoby trudne do uzyskania (czytałem kiedyś, że chyba przy 10krotnej różnicy stałych czasowych bazowych układów RC multiwibrator nie wytworzy drgań relaksacyjnych). Po drugie, żeby tranzystor od biedy mógł funkcjonować jako rezystor kilkukiloomowy (żeby była to jakaś sensowna wartość w połączeniu z rezystorem bazowym), trzeba by podać naprawdę bardzo mały prąd (przy wzmocnieniu dzisiejszych tranzystorów), a to w układzie, pracującym w trudniejszych warunkach(kurz, wilgoć) nie dałoby sensownych rezultatów (prądy upływu).
Pozdrawiam
Witam, dzięki za odpowiedź
Być może nie zrozumieliśmy się co do pozycji rezystora przy tranzystorze. Mój pomysł jest taki jak na rysunku poniżej. Warunkiem jak rozumiem musi być opór w gałęzi R2,R5 większy od R1.
Z twojego postu wynika, że płynnej regulacji raczej nie będzie. Czy zatem w takim układzie jak pokazałem uda mi się uzyskać przynajmniej dwa stopnie wypełnienia? t.j. 50% i coś pomiędzy 0%-5%?
(schemat robiony na szybko więc jak coś źle połączyłem to dajcie znać).
Pozdrawiam,
Radek.
Być może nie zrozumieliśmy się co do pozycji rezystora przy tranzystorze. Mój pomysł jest taki jak na rysunku poniżej. Warunkiem jak rozumiem musi być opór w gałęzi R2,R5 większy od R1.
Z twojego postu wynika, że płynnej regulacji raczej nie będzie. Czy zatem w takim układzie jak pokazałem uda mi się uzyskać przynajmniej dwa stopnie wypełnienia? t.j. 50% i coś pomiędzy 0%-5%?
(schemat robiony na szybko więc jak coś źle połączyłem to dajcie znać).
Pozdrawiam,
Radek.
- Załączniki
-
- generator.png (2.61 KiB) Przejrzano 16846 razy
- przemotronik
- Użytkownik
- Posty: 252
- Rejestracja: 18 paź 2006, 19:30
- Lokalizacja: Wrocław
Witam ponownie,
przy odpowiednim doborze rezystora R5 jest możliwe, że układ będzie działał. Być może lepiej byłoby, gdyby tranzystor Q1 był wprowadzany jedynie w stan zatkania/nasycenia (bez stanów pośrednich), czyli uzyskiwanie dwóch wartości. W przypadku tranzystora bipolarnego można wypróbować działanie układu w praktyce, to chyba da najpewniejszą odpowiedź.
Oczywiście, przy zastosowaniu tranzystora polowego, zachowującego się jak sterowana rezystancja (np. mały MOSFET) wyglądałoby to lepiej (niewykluczone jest uzyskanie płynnego zakresu). Cały czas należy jednak pamiętać o ograniczeniu zakresu wypełnienia sygnału w tym układzie. Zwróć jeszcze uwagę, że zakres wypełnienia byłby od ≈0 do ≈50% lub od 50% w górę, zależnie od tego, który kolektor wybierzemy jako wyjście układu
Pozdrawiam,
Przemotronik
P.S. Jeśli chcesz, napisz do czego ma być ten układ, może wtedy będzie można łatwiej pomóc.
przy odpowiednim doborze rezystora R5 jest możliwe, że układ będzie działał. Być może lepiej byłoby, gdyby tranzystor Q1 był wprowadzany jedynie w stan zatkania/nasycenia (bez stanów pośrednich), czyli uzyskiwanie dwóch wartości. W przypadku tranzystora bipolarnego można wypróbować działanie układu w praktyce, to chyba da najpewniejszą odpowiedź.
Oczywiście, przy zastosowaniu tranzystora polowego, zachowującego się jak sterowana rezystancja (np. mały MOSFET) wyglądałoby to lepiej (niewykluczone jest uzyskanie płynnego zakresu). Cały czas należy jednak pamiętać o ograniczeniu zakresu wypełnienia sygnału w tym układzie. Zwróć jeszcze uwagę, że zakres wypełnienia byłby od ≈0 do ≈50% lub od 50% w górę, zależnie od tego, który kolektor wybierzemy jako wyjście układu
Pozdrawiam,
Przemotronik
P.S. Jeśli chcesz, napisz do czego ma być ten układ, może wtedy będzie można łatwiej pomóc.
Dzięki za zainteresowanie.
Poniżej zamieszczam schemat z MOSFETem zamiast tranzystora bipolarnego(dobrze go wpiąłem? Bo coś mi tutaj nie pasuje). Jeśli dobrze rozumiem to poniżej 2 V na bramce tranzystor będzie zatkany i będe miał "nominalne" wypełnienie. Od 2 V. zacznie się otwierać i wypełnienie zacznie spadać. Mam racje?
Z tym, że mam wątpliwości. Jak wyznaczyć opór zastępczy gałęzi R5 (a za tym wypełnienie) np. dla napięcia bramki 3V? Trochę się w tym zagubiłem.
Tak, doskonale rozumie, że wypełnienie otrzymam od 0% do 50% lub od 50% do 100% i o to mi chodzi.
Co do przeznaczenia układu, mam taki ambitny projekt który chciałbym zrealizować. Potrzebuje do tego generator, który działać będzie już przy 1.5V ze "sprzężeniem zwrotnym" dot. współczynnika wypełnienia.
Pozdrawiam,
Radek.
P.S. Poszedłem po rozum do głowy i odczytałem rezystancje z wykresu 5 ze specyfikacji: http://www.fairchildsemi.com/ds/BS/BS170.pdf . Ale są to wartości rzędu ohmów, a nie kiloohmów. Da się temu zaradzić?
Poniżej zamieszczam schemat z MOSFETem zamiast tranzystora bipolarnego(dobrze go wpiąłem? Bo coś mi tutaj nie pasuje). Jeśli dobrze rozumiem to poniżej 2 V na bramce tranzystor będzie zatkany i będe miał "nominalne" wypełnienie. Od 2 V. zacznie się otwierać i wypełnienie zacznie spadać. Mam racje?
Z tym, że mam wątpliwości. Jak wyznaczyć opór zastępczy gałęzi R5 (a za tym wypełnienie) np. dla napięcia bramki 3V? Trochę się w tym zagubiłem.
Tak, doskonale rozumie, że wypełnienie otrzymam od 0% do 50% lub od 50% do 100% i o to mi chodzi.
Co do przeznaczenia układu, mam taki ambitny projekt który chciałbym zrealizować. Potrzebuje do tego generator, który działać będzie już przy 1.5V ze "sprzężeniem zwrotnym" dot. współczynnika wypełnienia.
Pozdrawiam,
Radek.
P.S. Poszedłem po rozum do głowy i odczytałem rezystancje z wykresu 5 ze specyfikacji: http://www.fairchildsemi.com/ds/BS/BS170.pdf . Ale są to wartości rzędu ohmów, a nie kiloohmów. Da się temu zaradzić?
- Załączniki
-
- generator.png (1.65 KiB) Przejrzano 16807 razy
- przemotronik
- Użytkownik
- Posty: 252
- Rejestracja: 18 paź 2006, 19:30
- Lokalizacja: Wrocław
MOSFET N jest wpięty prawidłowo jeżeli chodzi o polaryzację, ale większy problem byłby z napięciem bramki. Radziłbym dać FETa P i dren od strony rezystora, a źródło od VCC
Racją jest, że wypełnienie przy zamkniętym MOSFEcie będzie tym "nominalnym", a spadnie przy włączeniu (ale współczynnik spadnie na T1).
Jeżeli chodzi o regulację sprzężeniem zwrotnym, mam chyba pewien pomysł, o co chodzi
Jeśli dobrze się domyślam, to multiwibrator w ogóle średnio tu pasuje, ale nie wnikam dalej
Pozdrawiam,
Przemotronik
Racją jest, że wypełnienie przy zamkniętym MOSFEcie będzie tym "nominalnym", a spadnie przy włączeniu (ale współczynnik spadnie na T1).
Jeżeli chodzi o regulację sprzężeniem zwrotnym, mam chyba pewien pomysł, o co chodzi
Pozdrawiam,
Przemotronik
Dzięki wielkie za pomoc. Wybór FETów P jest ograniczony ale na szczęście nie mam wygórowanych potrzeb.przemotronik pisze:MOSFET N jest wpięty prawidłowo jeżeli chodzi o polaryzację, ale większy problem byłby z napięciem bramki. Radziłbym dać FETa P i dren od strony rezystora, a źródło od VCC
Racją jest, że wypełnienie przy zamkniętym MOSFEcie będzie tym "nominalnym", a spadnie przy włączeniu (ale współczynnik spadnie na T1).
Teraz najlepiej kupie parę mosfetów, złoże i poeksperymentuje. Nie jestem pewien jak będzie wyglądać ta "płynna regulacja" bo po prostu nie widze tu różnicy pomiędzy działaniem tranzystora mosfet'a, a bipolarnego.
Nie chciałbym tego zdradzać bo ktoś mi powie, że wszystko do bani i tak się nie da.. A jak powiedział A. Einstein:przemotronik pisze: Jeżeli chodzi o regulację sprzężeniem zwrotnym, mam chyba pewien pomysł, o co chodziJeśli dobrze się domyślam, to multiwibrator w ogóle średnio tu pasuje, ale nie wnikam dalej
![]()
"Gdy wszyscy wiedzą, że coś jest niemożliwe, przychodzi ktoś, kto o tym nie wie, i to robi"
Pozdrawiam,
Radek.
- przemotronik
- Użytkownik
- Posty: 252
- Rejestracja: 18 paź 2006, 19:30
- Lokalizacja: Wrocław
Podstawowa różnica (oprócz sygnału sterującego) to taka, że bipolarny steruje prądem kolektora jako źródło prądowe, a polowy przedstawia sobą rezystancję, sterowaną napięciem bramki. Nie od parady klucze analogowe są zbudowane z MOSFETów...radekg pisze:Teraz najlepiej kupie parę mosfetów, złoże i poeksperymentuje. Nie jestem pewien jak będzie wyglądać ta "płynna regulacja" bo po prostu nie widze tu różnicy pomiędzy działaniem tranzystora mosfet'a, a bipolarnego.
Ale warto spróbować także z odpowiednio policzonym rezystorem i tranzystorem, jak napisał Jony130.
Podoba mi się takie podejście do Elektronikiradekg pisze:Nie chciałbym tego zdradzać bo ktoś mi powie, że wszystko do bani i tak się nie da.. A jak powiedział A. Einstein:
"Gdy wszyscy wiedzą, że coś jest niemożliwe, przychodzi ktoś, kto o tym nie wie, i to robi"![]()
Życzę powodzenia i pozdrawiam
łołołoł... transoptor? To nowy pomysł. Mógłbyś rozwinąć myśl? Czemu transoptor? Może jakiś schemacik poglądowy? Nigdy ich nie używałem więc każda informacja mile widziana.
Dzięki,
Radek.
Dzięki,
Radek.
Ostatnio zmieniony 04 lis 2008, 20:29 przez radekg, łącznie zmieniany 1 raz.
- przemotronik
- Użytkownik
- Posty: 252
- Rejestracja: 18 paź 2006, 19:30
- Lokalizacja: Wrocław
Warystor nie pasuje do takiego zastosowania. Transoptor to układ złożony z odizolowanych optycznie od otoczenia (w obudowie) diody LED oraz fototranzystora. To coś jak taki "optyczny przekaźnik"; włączasz diodę, zadziała tranzystor. Układy takie są zazwyczaj w małych obudowach, np. 4 końcówkowych albo 8 (DIL8).radekg pisze:Warystor (ang. VDR – Voltage Dependent Resistor – rezystor zależny od napięcia) jest rezystorem półprzewodnikowym nieliniowym, którego rezystancja zależy od wartości doprowadzonego napięcia
Czyż nie o to mi chodzi? Również nigdy nie używałem ale z opisu wnioskuje, że warystor w moim układzie będzie idealny. Ale z drugiej strony to chyba nie do tego służy.
Nikt nie wspomniał do tej pory o potencjometrze cyfrowym, ale w tym zastosowaniu byłaby to trochę próba zestrzelania muchy za pomocą armaty...
- joon
- Użytkownik
- Posty: 2076
- Rejestracja: 30 cze 2007, 22:56
- Lokalizacja: Kraków, Przemyśl, Warszawa
- Kontakt:
Dlaczego transoptor? Bo łatwo można zrobić z niego regulowany rezystor. Transoptor w wykonaniu: jedna dioda nadawcza oraz dwie odbiorcze dają we współpracy z OPekiem liniowo sterowany rezystor.radekg pisze:łołołoł... transoptor? To nowy pomysł. Mógłbyś rozwinąć myśl? Czemu transoptor? Może jakiś schemacik poglądowy? Nigdy ich nie używałem więc każda informacja mile widziana.