W zadaniu pierwszym tranzystor ewidentnie w pracy inwersyjnej.
Żeby tranzystor NPN mógł „normalnie” pracować w stanie aktywnym.
To baza przez RB do plusa zasilania, emiter do masy i kolektor przez Rc do plusa zasilacza.
I by tranzystor nie znajdował się w nasyceniu Rb musi być większa od β*Rc co jest tu spełnione.
I obliczamy (dla prawidłowo wałczonego tranzystora)
Ic=[β*(Ec-Ube)/Rb=3.23mA
Uce=Ec-Ic*Rc=20V-6.46V=13.54V
Dla zadanie drugiego poprawna polaryzacja to ujemne Ec.
I wtedy obliczamy
Ic=8.892mA
Uce=64.92V
Tranzystor w nasyceniu ( by nie był to Rb≥β*Rc=190KΩ)
I obliczamy
Ic≈Ec/Rc=2.4mA w praktyce mniejsze (np. dla Ucesat=0.2V Ic=2.38mA)
Ib=(Ec-Ube)/Rb=466uA
Uce=Ucesat=10mV do 0.6V typowe napięcie nasycenia Uce(sat)
I tak by te zadania wyglądały gdyby schematy były poprawnie narysowane.
A tak mamy prące inwersyjną w zad1 i tranzystor w roli w diody zenera, tunelowej w zad 2
PS. W jakiej szkole dają takie zadania ??
Pomocy
To zależy co rozumiesz przez „złe”
Zad1.
Jeśli poprawisz schemat tak jak napisałem wcześniej
(baza przez RB do plusa zasilania, emiter do masy i kolektor przez Rc do plusa zasilacza)
To obliczenia twoje są poprawne.
Zad2.
Tu nawet jak dasz Ec ujemne twoje obliczenia są niekompletne.
Bo tranzystor jest w nasyceniu i płyną prądy jakie obliczyłem we wcześniejszym poście.
I wtedy by można uznać to za poprawne.
Ale jeśli schematy są poprawne i wartości też to obliczenia są błędne.
I trzeba liczyć tak :
Zad1
Ic≈[β*(Ec-Ubc)]/[Rb+Ro*(βi+1)]
Zad2
Ic=Ec-Ucep)/Rc
Uce=Ucep
gdzie Ucep to napięcie przebicia złącza emiter-kolektor zależne od typu tranzystora i technologi wykonana.
I nie podaje sie tego napięcia w katalogach
Dla tranzystorów PNP napięcie to jest o ok 0.6V większe od napięcia przebicia złącze emiter-baza.
(np. dla BD140 Ueb=12.5V; Uec=13V)
Dla tranzystorów NPN napięcie przebicia Uec jest mniejsze od Ueb np. dla BC549B Ueb=8.3V. A Uec=7V przy I=5mA
Zad1.
Jeśli poprawisz schemat tak jak napisałem wcześniej
(baza przez RB do plusa zasilania, emiter do masy i kolektor przez Rc do plusa zasilacza)
To obliczenia twoje są poprawne.
Zad2.
Tu nawet jak dasz Ec ujemne twoje obliczenia są niekompletne.
Bo tranzystor jest w nasyceniu i płyną prądy jakie obliczyłem we wcześniejszym poście.
I wtedy by można uznać to za poprawne.
Ale jeśli schematy są poprawne i wartości też to obliczenia są błędne.
I trzeba liczyć tak :
Zad1
Ic≈[β*(Ec-Ubc)]/[Rb+Ro*(βi+1)]
Zad2
Ic=Ec-Ucep)/Rc
Uce=Ucep
gdzie Ucep to napięcie przebicia złącza emiter-kolektor zależne od typu tranzystora i technologi wykonana.
I nie podaje sie tego napięcia w katalogach
Dla tranzystorów PNP napięcie to jest o ok 0.6V większe od napięcia przebicia złącze emiter-baza.
(np. dla BD140 Ueb=12.5V; Uec=13V)
Dla tranzystorów NPN napięcie przebicia Uec jest mniejsze od Ueb np. dla BC549B Ueb=8.3V. A Uec=7V przy I=5mA
Żeby te zadanie dało się "normalnie" rozwiązać to Ec musi być dodatnie.
I dlatego wstawiłem Ec=20V
bo jak będzie Ec=-20V to wtedy
Ic≈[β*(Ec-Ubc)]/[Rb+Ro*(βi+1)] I tranzystor pracuje w tzw. inwersji i wtedy tamg gdzie napisałem nie ma połączenia powinno być połączenie.
PS.
Napięcie ujemne, kliknij na te dwa obrazki
https://forum.elportal.pl/viewtopic.php?p=26559#26559
I dlatego wstawiłem Ec=20V
bo jak będzie Ec=-20V to wtedy
Ic≈[β*(Ec-Ubc)]/[Rb+Ro*(βi+1)] I tranzystor pracuje w tzw. inwersji i wtedy tamg gdzie napisałem nie ma połączenia powinno być połączenie.
PS.
Napięcie ujemne, kliknij na te dwa obrazki
https://forum.elportal.pl/viewtopic.php?p=26559#26559
- Załączniki
-