Charakterystyka tranzystora MOS w LTspice

gsfdgfd13432 · Post autor: **gsfdgfd13432** » 10 cze 2016, 10:16

Witam
Chce zbadać charakterystyki tranzystora MOFET z kanałem zubożanym typu P. Zrobiłem układ do analizy (mam nadzieje że dobry a jeśli nie to jak powinien wyglądać) i wyszedł mi taki wykres jak w załączniku. Czy to jest dobrze a jeśli to co powinienem poprawić?
Pozdrawiam

@EDIT1
Schemat powinien chyba wyglądać chyba tak ale nadal charakterystyki nie podobają mi się.

Post autor: **Jony130** » 10 cze 2016, 16:44

A konkretnie to jaką charakterystykę chciałeś uzyskać ? Dodatkowo tranzystor który użyłeś jest typu wzbogaconego (enhancement mode).

gsfdgfd13432 · Post autor: **gsfdgfd13432** » 10 cze 2016, 18:10

Chce uzyskać charakterystykę wyjściową. Racja, jednak nie mogę w LTspace znaleźć MOFET z kanałem zubożanym.
W ostateczności mogę zrobić z wzbogaconym, tylko żebym wiedział co robię nie tak.

Post autor: **Jony130** » 10 cze 2016, 19:56

Zobacz sobie na schemat.

Obrazek

A jeśli chodzi o charakterystykę tranzystora zubożonego to zobacz sobie na charakterystyka przejściowa tranzystora z kanałem zubożonym plus deklarację modelu.
Obrazek

I wycinek z helpa

VTO is positive (negative) for enhancement mode and negative (positive) for depletion mode N-channel (P-channel)

gsfdgfd13432 · Post autor: **gsfdgfd13432** » 10 cze 2016, 21:08

Pięknie dziękuje - coś już zaczyna mi świtach w głowie...
Mam jeszcze jedno pytanie: w jaki sposób mogę w takim razie wyznaczyć charakterystykę przejściową tranzystora?

PS: Czy Is nie powinno mieć mniejsze wartości (mA zamiast A)?

gsfdgfd13432 · Post autor: **gsfdgfd13432** » 12 cze 2016, 3:38

Ciężko to myślenie mi jednak idzie...
Charakterystyka przejściowa dla IRF9640 ma wyglądać tak?:

Post autor: **Jony130** » 12 cze 2016, 7:37

gsfdgfd13432 pisze:Czy Is nie powinno mieć mniejsze wartości (mA zamiast A)?

A niby czemu ?? Przecież to wszytko zależy od transkonduktancji gfs użytego tranzystora. A mosfety dużej mocy mają transkonduktancję na w okolicy 2...6 Siemensów. Co oznacza ,że na 1V zmiany Ugs Id zmieni się o te 2A.

gsfdgfd13432 pisze:Ciężko to myślenie mi jednak idzie...
Charakterystyka przejściowa dla IRF9640 ma wyglądać tak?:

Tak rano to ciężko zebrać myśli. Ale charakterystyka wygląda w miarę porwanie. Tylko Vgs powinno być ujemne, ale to mały szczegół.

gsfdgfd13432 · Post autor: **gsfdgfd13432** » 12 cze 2016, 8:23

Teraz lepiej, czy nie o to Ci chodziło?

Post autor: **Jony130** » 12 cze 2016, 8:57

gsfdgfd13432 pisze:czy nie o to Ci chodziło?

Nie do końca. Zauważ , że dla tranzystora z kanałem typu P napięcie na Bramce musi być niższe niż na Źródle. Z tego wynika, że napięcie Ugs - Napięcie miedzy Bramką a Źródłem musi być ujemne (wyższe na Źródle, niższe na Bramce). Czyli charakterystyka powinna wyglądać tak. I mówi ona nam i ile woltów napięcie na Bramce ma być niższe od napięcie na Źródle by uzyskać dany prąd. Bo do tej pory mieliśmy charakterystykę Usg vs Is.
Bo Usg jest dodatnie (napięcie na Źródle jest wyższe od napięcia na Bramce).

gsfdgfd13432 · Post autor: **gsfdgfd13432** » 12 cze 2016, 9:13

Poddaje się... Możesz udostępnić jeszcze schemat dla tego wykresu?

Post autor: **Jony130** » 12 cze 2016, 12:42

Schemat praktycznie taki jak twój tylko masa jest na Źródle i na osi x mam napięcie na bramce.
A za "obrócenie" wykresu (liczba bardziej dodatnie z lewej strony) odpowiada paint. Bo w LTspice jakoś nie umiem tego zrobić.

gsfdgfd13432 · Post autor: **gsfdgfd13432** » 12 cze 2016, 18:54

W jaki sposób mam ustawić na osi x napięcie na bramce?

Post autor: **Jony130** » 14 cze 2016, 13:28

W jaki sposób mam ustawić na osi x napięcie na bramce?

Klikasz lewym myszki na "osi X" i zmieniasz z Vgs na dowolny węzeł w układzie u mnie bramka to węzeł numer 2 V(n002) i po sprawie.