Czytając artykuł natknąłem się na pewne zdanie:
"Niestety, obciążenie tranzystora jest włączone w obwód źródła, czyli jest to wtórnik źródłowy, a wszystkie wtórniki (katodowy, emiterowy, źródłowy) pracują źle jako klucze, ponieważ mają ujemne napięciowe sprzężenie zwrotne. "
Nie do końca rozumiem o co chodzi z tym ujemnym sprzężeniem/gdzie ono jest/ i dlaczego to ma wpływ do działania jako klucz? Byłbym wdzięczny za krótką odpowiedź bądź link do odpowiednich materiałów, dzięki:)
Wtórnik źródłowy
Intuicyjnie rzecz ujmując: Prąd płynący przez tranzystor powoduje spadek napięcia na obciążeniu emitera/źródła. Spadek ten powoduje zmniejszanie się napięcia miedzy bramką/bazą a źródłem/emiterem (zakładając stałe napięcie na bramce/bazie). To z kolei powoduje zamykanie się tranzystora, zmniejszenie prądu, zmniejszenie spadku napiecia, i zwiększenie różnicy potencjałów między bramką/bazą a źródłem/emiterem, itd...
Zastosowanie takiego układu w roli klucza nie jest dobre, ponieważ na obciążenie nie jest podawane pełne napięcie zasilania.
Zastosowanie takiego układu w roli klucza nie jest dobre, ponieważ na obciążenie nie jest podawane pełne napięcie zasilania.
Hej
W przypadku mosfetow nie wpina sie obciążenia miedzy źródło a masę bo bedzie spadek napięcia i będziesz miał straty. Możesz to zrobic ale trzeba zastosować boot strap. To znaczy na bramce musi być większe napięcie niz na drenie a boot strap to układ co pozwoli to uzyskać. Wtedy to zadziała. Wtornik emiterowy natomiast to popularny uklad. Tam masz napięcie o 0,7 V niższe od napięcia na bazie. Zaleta układu to duza rezystancja wejsciowa i możliwe duże obciążenie pradowe( w zależności od tranzystora.
Pozdrawiam
Piotrek
W przypadku mosfetow nie wpina sie obciążenia miedzy źródło a masę bo bedzie spadek napięcia i będziesz miał straty. Możesz to zrobic ale trzeba zastosować boot strap. To znaczy na bramce musi być większe napięcie niz na drenie a boot strap to układ co pozwoli to uzyskać. Wtedy to zadziała. Wtornik emiterowy natomiast to popularny uklad. Tam masz napięcie o 0,7 V niższe od napięcia na bazie. Zaleta układu to duza rezystancja wejsciowa i możliwe duże obciążenie pradowe( w zależności od tranzystora.
Pozdrawiam
Piotrek