Podłączenie dużego tranzystora do AVR

maxxxior · Post autor: **maxxxior** » 26 sty 2014, 21:40

Witam, potrzebuję zbudować układ sterujący 4 wtryskiwaczami samochodowymi. Każdy wtryskiwacz pobiera ok 450mA prądu. Postanowiłem zastosować tranzystor BD237, który prąd kolektora wynosi 2A. I pod niego podłączyć te 4 wtryskiwacze równolegle... Tylko mam problem, otóż jeśli te wtryskiwacze z kolektora będą pobierać coś kolo 2A prądu, to Ib=2A/20 = 0.1A. A maksymalny prąd wydolności prądowej Atmega8 wynosi 40mA. Jak temu zaradzić aby nie uwalić pinu AVR?

mr_x · Post autor: **mr_x** » 26 sty 2014, 21:52

Możesz zastosować połączenie tranzystorów w układ Darlingtona lub od razu wykorzystać taki tranzystor.

maxxxior · Post autor: **maxxxior** » 26 sty 2014, 22:38

czyli może to być np taki tranzystor: http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet- ... BD683.html ?
I jak do niego obliczyć rezystor dla bazy? tak samo jak dla zwykłych tranzystorów bipolarnych?

Post autor: **Jony130** » 27 sty 2014, 11:41

Za słaby ten tranzystor. Zastosuj jakiegoś MOSFET-a np IRLR2905 .

maxxxior · Post autor: **maxxxior** » 27 sty 2014, 16:31

Czemu za słaby? Prąd kolektora wynosi max 2A, a moje wtryskiwacze będą pobierać max 1.6A. I czemu Mosfeta a nie zwykłego darlingtona? I jak się liczy rezystor dla bazy dla Darlingtonów?

leech10 · Post autor: **leech10** » 27 sty 2014, 23:03

Hej

Czemu nie MOSFETA? Nie będziesz się martwił prądem bazy. Jedyna rzecz to taka aby był on z literką L(Logic) czyli aby napięcie na bramce w standardzie TTL 5V powodowało pełne otwarcie się tranzystora. A i zastanów się nad napięciem nasycenia darlingtona. Jest ono dużo wyższe jak też znacznie mniejsza prędkość. Tej wady nie mają FETy

Pozdrawiam
Piotrek

Post autor: **Jony130** » 28 sty 2014, 0:14

maxxxior pisze: I jak się liczy rezystor dla bazy dla Darlingtonów?

Zakładasz Ic =2A i obliczasz prąd bazy

Ib = Ic/Hfemin = 2A/750 = 2.6mA dla bezpieczeństwa zwiększasz ten prąd 3 razy do 8mA i liczysz.
Rb = (Voh - Vbe)/Ib = (5V - 1.6V)/8mA = 420R więc dajesz 330R albo 390R.

No i nie zapomni o radiatorze dla tranzystora.

maxxxior · Post autor: **maxxxior** » 28 sty 2014, 1:15

Czyli dla darlingtona się liczy inaczej prąd bazy niż dla bipolarnych tak? bo ja liczylem tak: jezeli prad kolektora wynosi 100mA, to Ib=100mA/20 czyli Ib=5mA tak?

i teraz
Rb= (3V-0,7)/0,005A = 460ohm ??
gdzie:
3V - zasilanie procesora
0,7 - spadek na C-E
0,005 - prad bazy

leech10 · Post autor: **leech10** » 28 sty 2014, 8:20

Hej

Darlington ma większy Ube( nie 0.7 a 1.4 , Jony130 dał 1.6 czyli z marginesem bezpieczeństwa)
A więc liczysz tak samo tylko dajesz inny Ube .

Pozdrawiam
Piotrek

maxxxior · Post autor: **maxxxior** » 28 sty 2014, 10:32

ok, a czemu Jony130 dzieli prąd kolektora przez Hfemin, a mi kazali dzielić przez 20...30 ?
I czy ten darlington co zaproponowałem będzie dobry (Jony130, czemu pisałeś że ten tranzystor będzie za słaby?)?

Post autor: **Jony130** » 28 sty 2014, 11:51

ok, a czemu Jony130 dzieli prąd kolektora przez Hfemin, a mi kazali dzielić przez 20...30 ?

Chłopie pomyśl trochę jaki to był by sens stosowanie Darlingtona gdybyś i tak dobrał rezystor bazowy tak samo jak dla zwykłego tranzystora?
Dla Ic = 2A----> Ib = 2A/20 = 0.1A toż to jest bezsensu.

mr_x · Post autor: **mr_x** » 28 sty 2014, 13:49

W mojej wypowiedzi dałem link do Wikipedii. Jest tam wyraźnie napisane, że w układzie Darlingtona wzmocnienie całego układu jest w przybliżeniu iloczynem wzmocnienia obu tranzystorów.

joon · Post autor: **joon** » 28 sty 2014, 20:38

Tylko w teorii tak jest, i to takiej która od praktyki bardzo daleko stoi. A wiki nie jest najbardziej wiarygodnym źródłem informacji wbrew pozorom.

mr_x · Post autor: **mr_x** » 28 sty 2014, 21:46

Nigdy nie sprawdzałem "doświadczalnie", ale któregoś dnia zrobię eksperyment z różnymi tranzystorami, by przekonać się dokładnie, jak jest.

joon · Post autor: **joon** » 28 sty 2014, 21:51

Zacznij od badanie pojedynczego tranzystora, zwłaszcza pod względem zależności Hf-Ic