e-lektryk pisze:Z tego co czytałem BC558 potrzebuje (w zasadzie pisało o BC548) zaledwie 0.1 mA, żeby się nasycić, więc 10k to w sumie mała rezystancja.
A gdzie ktoś takie bzdury pisał ??
By tranzystor był w nasyceniu musi zajść taka zależność
Rb/Rc < Hfe_min
Uwzględniając margines bezpieczeństwa daje to taki oto wzór:
Rb < 10...50*Rc
Albo trochę w innej postaci
Rb = ( ( Uwe - Ube) * Hfe_min )/ ( K * Ic)
Gdzie K to współczynnik przesterowanie
K = od 3 do 5
e-lektryk pisze:Bo prąd bazy w symulatorze wynosi (R7) 425 uA, a prąd na R11 powinien wynosić 42.5 uA, w tej chwili jest to 75 uA więc trzeba zwiększyć R11 powyżej 10k albo zmniejszyć R7.
Jak reguła "0.1" ma się do tranzystora MOSFET gdzie prąd bramy jest prądem zerowym?
W twojej aplikacji naprawdę nie ma co zmieniać.
Zostaw jak R11 = 10K a najwyżej daj R7 = 1K.
Bo na przykład niektórzy zalecają R11 = Rb*10 (np. w sztuce elektroniki) co też jest rozsądnym podejściem.
Zresztą jak trochę lepiej poznasz te sprawy to sam się przekonasz, że niem jednego przepisu na wartości elementów.
e-lektryk pisze:Jak reguła "0.1" ma się do tranzystora MOSFET gdzie prąd bramy jest prądem zerowym? Jaki prąd powinien płynąć przez R9?
W przypadku MOSFET'a to w takiej aplikacji to masz prawie dowolność w wyborze R9.
Z przedziału 1K do 10K. Choć i czasami można dać większą wartość.
Bo w przypadku układów przełączających powyżej 10KHz, praktycznie nie stosujemy już rezystora R9 tyko sterujemy bramkę MOSFET'a z pary komplementarnej.
A w twoim układzie R9 wyznacza też prąd kolektora tranzystora PNP.