Rozwiązując poniższe zadanie:

dla następujących danych: Ucc=6V, R1=100kΩ, R2=30kΩ, β=100, RE=200Ω, RC=500Ω,UBE=0.7V
gdzie do obliczenia było IC, IE, UCE
Wyznaczyłem z twierdzenia Thevenina następujący schemat zastępczy:

gdzie:
UB=6/(100k+30k) * 30k = 1.38 V
RB=R1*R2/(R1+R2)=3000k/130 = 23.07k
Następnie obliczyłem prąd bazy IB z dolnego oczka jako:
UB=IB*RB + UBE + IE*RE
IE=IB+IC
IC=β*IB (Zakładam, że pracuje w stanie aktywnym)
IB=(UB-UBE)/(RB+(1+β)*RE)=17.2µA
IC=100*17.2µA=1.72mA
UC=Ucc-IC*RC=6-1.72m*500=5.14V
Pytanie jednak dotyczy sytuacji gdy RC=5k, gdyż wówczas napięcie UC=6-1.72m*5000=-2.6 V, zatem mniejsza od UCESAT, który przyjmuję za 0.2V. Co za tym idzie przy obliczaniu IB nie mogę w takiej sytuacji skorzystać ze wzoru IC=β*IB, gdyż tranzystor nie pracuje wówczas w stanie aktywnym jak było dla RC=500, tylko w nasycenia.
Jak w takiej sytuacji wyznaczyć IB oraz IC ?
