Widzę, że się za bardzo nie rozumiemy... Wiesz te obie informacje się nie kłócą... Cała magistrala I²C pomyślana jest raczej dla układów zasilanych z 5V. No, więc jaki sens byłoby wypuszczenie pamięci, która nie potrafi się z takim układem porozumieć, albo potrzebuje mnóstwo dodatkowych elementów

O ile pamiętam takie układy na IO mają MOSFETy, a MOSFETy mają to do siebie, że maks. otwarcie jest przy napięciu ok. 4V, a dopuszczalne napięcie bramki to ok. 15V. Oczywiście mówię tu o dużych MOSFETach. Także wydaje mi się, że wszystko ma ręce i nogi i żaden konstruktor tych pamięci się nie pomylił.
Patrzę tak na noty katalogowe pamięci AT24C512B i AT24C1024B. Wychodzi na to, że pamięć AT24C512B jest wersją niskonapięciową AT24C512, a AT24C1024B jest pamięcią o rozszerzonym adresie układu, posiada chyba możliwość podłączenia 4 takich pamięci, nie jak w starszym typie, czyli AT24C1024, gdzie można było podłączyć tylko 2. Napięcia AT24C1024 są takie same. No z tym, że pamięć AT24C1024B ma możliwość działania z prędkością magistrali 1MHz już od 3,3V, a starsza wersja przy tym napięciu wyrabia tylko 400kHz.
Pozdrawiam
