Przepraszam czy mógłby mi ktoś udzielić odpowiedzi na te pytania. Szukałam w ksiązkach i necie ale zabardzo nic nie znalazła. Z góry dziękuję za pomoc.
Pytanie:
1. Jak dobrać wartości rezystorów R1 i R2 tak, aby wzmocnienie wynosiło kolejno 30dB Naszkicować przewidywany kształt charakterystyki na jednym wykresie.
2. Narysować efekt idealnego całkowania i różniczkowania fali prostokątnej i trójkątnej. Jakie są często odstępstwa dla przebiegów rzeczywistych?
3. Narysować typową ch-kę częstotliwościową wzmacniacza operacyjnego. Jakie i dlaczego są stosowane, odpowiednie skale na poszczególnych osiach?
4. Co to są napięcia załączania i wyłączania? Jakich tranzystorów dotyczą? Jakie przyjmują wartości w najnowszych tranzystorach?
Pytanie
Co do pierwszego pytania to najpierw musiał bym wiedzieć w jakim układzie masz mieć to wzmocnienie 30dB, sądząc po treści reszty pytań to pachnie mi tu podstawami automatyki czy nie będzie to jakiś regulator ??
Żeby przejść z wzmocnienia wyrażanego w dB na np. V/V stosujesz przekształcenie
N(dB)=20*log(K)
Gdzie: K – wzmocnienie w V/V, a log – logarytm o podstawie 10.
W twoim przypadku:
30dB=20*log(K)
(3/2)=log(K)
10do potęgi(3/2)=K=31,62 V/V – na tej podstawie możesz sobie liczyć rezystancję.
AD. 2: przebiegi idealnego całkowania i różniczkowania znajdziesz np. w podręcznikach do automatyki: (przy regulatorach PID).
Mogę Ci powiedzieć, że przy idealnym różniczkowaniu przebiegu prostokątnego wyjdzie ci nieskończenie wysoki impuls o znikomo krótkim czasie (impuls Diraka)
Jeżeli chodzi o całkowanie efekt odwrotny, będziemy mieli odpowiedź w postaci przebiegu narastającego liniowo, który osiągnie wartość impulsu wejściowego po czasie całkowania Ti
Co do przebiegów rzeczywistych to będą one nie co zniekształcone, w przypadku różniczkowania będziemy mieli impuls do pewnej skończonej wartości poczym będzie on opadał wykładniczo, w przypadku całkowania narastanie nie będzie liniowe tylko też wedle krzywej wykładniczej narastającej.
Napięcia załączania i wyłączania tranzystorów, dotyczą zaworów (tranzystorów) MOS-FET, J-FET i IGBT, które są sterowanie napięciowo. Jest to napięcie przykładane pomiędzy jedną z elektrod głównych tranzystora (S-źródło (MOS), lub E-emiter (IGBT)) i elektrodę sterującą czyli bramkę (G) nie wiem jak w nowoczesnych tranzystorach ale w IGBT jest to około +15V (Załączenie) i -15V (wyłącznie).
Na odpowiednie rysunki i linki będziesz musiał niestety zaczekać.
Wiadomości możesz znaleźć w J. Kostro: Elementy, urządzenia i układy automatyki. WSiP W-wa
http://student.uci.agh.edu.pl/~lsdyn/autom_lin.html
http://www.ise.pw.edu.pl/~wzab/ELIU/pro ... cyjnego%22
http://www.eti.pg.gda.pl/katedry/ksmi/d ... ny_i_k.ppt
http://qe.ita.pwr.wroc.pl/~zue/wyklad/U ... cyjnego%22
http://home.agh.edu.pl/~sliwczyn/podst_ ... rialy.html
http://home.agh.edu.pl/~sliwczyn/pdf_po ... har_cz.pdf
PS. Dołącz jakiś rysuneczek do załączniczka
Żeby przejść z wzmocnienia wyrażanego w dB na np. V/V stosujesz przekształcenie
N(dB)=20*log(K)
Gdzie: K – wzmocnienie w V/V, a log – logarytm o podstawie 10.
W twoim przypadku:
30dB=20*log(K)
(3/2)=log(K)
10do potęgi(3/2)=K=31,62 V/V – na tej podstawie możesz sobie liczyć rezystancję.
AD. 2: przebiegi idealnego całkowania i różniczkowania znajdziesz np. w podręcznikach do automatyki: (przy regulatorach PID).
Mogę Ci powiedzieć, że przy idealnym różniczkowaniu przebiegu prostokątnego wyjdzie ci nieskończenie wysoki impuls o znikomo krótkim czasie (impuls Diraka)
Jeżeli chodzi o całkowanie efekt odwrotny, będziemy mieli odpowiedź w postaci przebiegu narastającego liniowo, który osiągnie wartość impulsu wejściowego po czasie całkowania Ti
Co do przebiegów rzeczywistych to będą one nie co zniekształcone, w przypadku różniczkowania będziemy mieli impuls do pewnej skończonej wartości poczym będzie on opadał wykładniczo, w przypadku całkowania narastanie nie będzie liniowe tylko też wedle krzywej wykładniczej narastającej.
Napięcia załączania i wyłączania tranzystorów, dotyczą zaworów (tranzystorów) MOS-FET, J-FET i IGBT, które są sterowanie napięciowo. Jest to napięcie przykładane pomiędzy jedną z elektrod głównych tranzystora (S-źródło (MOS), lub E-emiter (IGBT)) i elektrodę sterującą czyli bramkę (G) nie wiem jak w nowoczesnych tranzystorach ale w IGBT jest to około +15V (Załączenie) i -15V (wyłącznie).
Na odpowiednie rysunki i linki będziesz musiał niestety zaczekać.
Wiadomości możesz znaleźć w J. Kostro: Elementy, urządzenia i układy automatyki. WSiP W-wa
http://student.uci.agh.edu.pl/~lsdyn/autom_lin.html
http://www.ise.pw.edu.pl/~wzab/ELIU/pro ... cyjnego%22
http://www.eti.pg.gda.pl/katedry/ksmi/d ... ny_i_k.ppt
http://qe.ita.pwr.wroc.pl/~zue/wyklad/U ... cyjnego%22
http://home.agh.edu.pl/~sliwczyn/podst_ ... rialy.html
http://home.agh.edu.pl/~sliwczyn/pdf_po ... har_cz.pdf
PS. Dołącz jakiś rysuneczek do załączniczka
GAVRON dzięki wielkie, naprawdę mi pomogłeś. Jeszcze raz dziękuje.
Mam jeszcze jedno pytanie.
Zasady polaryzacji w poszczególnych obwodach, tzn. w układach tranzystorów BJT z OE i OB.
Dzieki.
Mam jeszcze jedno pytanie.
Zasady polaryzacji w poszczególnych obwodach, tzn. w układach tranzystorów BJT z OE i OB.
Dzieki.
Ostatnio zmieniony 04 wrz 2006, 16:11 przez zygaaa, łącznie zmieniany 1 raz.
. 
Ja czasami mam dziury w komórkach i zdarzają się błędy w transmisji danych 
.Im wzmocnienie wzmacniacza operacyjnego większe (wyższa charakterystyka) tym pasmo przenoszenia jest bardziej ograniczone z góry (jest węższe). Rysujesz na jednym wykresie rodzinę takich samych charakterystyk tylko że o innej częstotliwości granicznej np. tak jak na rysunku poniżej.
Ad 1 no musisz coś tam domalować tylko, nie mogę ci powiedzieć co, bo dalej nie widzę w twoich postach załącznika informującego o tym, jaki to jest układ.
A na osiach masz wzmocnienie w funkcji częstotliwości, i fazę w funkcji częstotliwości, bo to tylko nas ze względów użytkowych i stabilności pracy układu obchodzi. Po za tym nie rzadko stosuje się charakterystyki logarytmiczne bo odzwierciedlają lepiej to co dzieje się fizykalnie (np. jeżeli chodzi o słuch ludzki) i pozwala to nam na stosowanie uproszczeń obliczeniowych. (patrz tzw. Charakterystyki BODEGO).
PS.
Co do OE (wspólny emiter), OB (wspólna baza) to:
http://pl.wikipedia.org/wiki/Tranzystor_bipolarny
http://pl.wikibooks.org/wiki/Układy_analogowe
http://www.eti.pg.gda.pl/katedry/ksmi/d ... tat-TB.doc
http://www.pwsz.legnica.edu.pl/~dudaj/w_7.ppt
To tylko kilka, wpisz odpowiednie frazy w GOOGLE i przede wszystkim przeszukaj https://elportal.pl (chodzi mi głównie o cykl tranzystory dla początkujących).
Ad 1 no musisz coś tam domalować tylko, nie mogę ci powiedzieć co, bo dalej nie widzę w twoich postach załącznika informującego o tym, jaki to jest układ.
A na osiach masz wzmocnienie w funkcji częstotliwości, i fazę w funkcji częstotliwości, bo to tylko nas ze względów użytkowych i stabilności pracy układu obchodzi. Po za tym nie rzadko stosuje się charakterystyki logarytmiczne bo odzwierciedlają lepiej to co dzieje się fizykalnie (np. jeżeli chodzi o słuch ludzki) i pozwala to nam na stosowanie uproszczeń obliczeniowych. (patrz tzw. Charakterystyki BODEGO).
PS.
Co do OE (wspólny emiter), OB (wspólna baza) to:
http://pl.wikipedia.org/wiki/Tranzystor_bipolarny
http://pl.wikibooks.org/wiki/Układy_analogowe
http://www.eti.pg.gda.pl/katedry/ksmi/d ... tat-TB.doc
http://www.pwsz.legnica.edu.pl/~dudaj/w_7.ppt
To tylko kilka, wpisz odpowiednie frazy w GOOGLE i przede wszystkim przeszukaj https://elportal.pl (chodzi mi głównie o cykl tranzystory dla początkujących).
W pliku, do którego podsyłam ci link na stronie 101 masz taki wzór w ramce to jest wzór na wzmocnienie układu odwracającego (w poście u góry pokazałem ci jak przejść z dB na V/V). Teraz tylko praktycznie przyjmiesz wartość jednego rezystora np. R1=10k i obliczysz z tego wzoru ten drugi. Ten R1 dobiera się praktycznie np. z warunku odpowiedniej rezystancji wejściowej. Rezystancja wejściowa układu odwracającego fazę jest równa R1+R3 a jeżeli nie było by R3 to tylko R1. Tak praktycznie biorąc.
A co do załącznika to może dajesz za duży plik (Max=256KB zdaje się).
A co do załącznika to może dajesz za duży plik (Max=256KB zdaje się).