Obliczenia układu dla rzeczywistego tranzystora

Jesli jesteś początkującym elektronikiem, to tu z pewnością znajdziesz pomoc. Miejsce dobre do dyskusji nad podstawami elektroniki w zakresie teorii i praktyki.
qwers
-
Posty: 37
Rejestracja: 15 gru 2012, 22:46
Lokalizacja: --

Post autor: qwers » 15 paź 2013, 13:21

1. "Sprzężenie jest napięciowe gdy próbkujemy napięcie. ".
Co ma oznaczać sformułowanie "próbkujemy napięcie"? Wiem co to jest próbkowanie w znaczeniu sygnałów (np. przy zamianie sygnału analogowego na cyfrowy), ale tutaj jakoś nie rozumiem. Tak samo tutaj - "(...) A w przypadku sprzężenia prądowego, rezystor próbkujący (...)".


2. W materiale zawartym w linku z AGH, jest napisane - "Gdy sygnał sprzężenia zwrotnego jest doprowadzany do wejścia szeregowo z sygnałem wejściowym, takie sprzężenie nazywa się szeregowym, gdy zaś równolegle - równoległym."

> Czyli sprzężenie jest szeregowe, gdy sprzężenie jest do dołączone szeregowo do wejścia (szeregowo względem wejścia albo szeregowo z wejściem). Tak, więc sprzężenie zwrotne jest dołączone szeregowo ze źródłem sygnału i wejściem wzmacniacza.


> Sprzężenie równoległe mamy, gdy sprzężenie jest dołączone równolegle do linii (tu dwóch przewodów) łączącej źródło sygnału i wejście wzmacniacza.

Czy dobrze rozumiem?



3. "Teraz sprzężenie jest typu równoległego gdy sprzężenie jest połączone do tego samego węzła co napięcie wejściowe. W przeciwnym wypadku mamy do czynienie ze sprzężeniem szeregowym. ".

> Czyli sprzężenie jest równoległe, gdy sprzężenie, źródło sygnału i wejście wzmacniacza mają jeden wspólny węzeł (czyli istnieje jednen wspólny węzeł dla nich), przyczym źródło sprzężenie zwrotne musi być dołączone równolegle do tego węzła.

Obrazek

Na powyższym rysunku w punkcie a) tym wspólnym węzłem jest węzeł A.
Ale, także wspólnym węzłem jest też węzeł B. Przyczym węzeł B łączy masy, więc
jako główny węzeł wspólny traktujemy węzeł A.

W punkcie b) wspólne węzły to E oraz G. Z czego głównym węzłem wspólnym jest węzeł E. I widać że sygnał sprzężenia (od kolektora do punktu F, następnie przez R2 i do punktu E ; a druga strona to od emitera do punktu G) jest dołączony równolegle pomiędzy węzły E i G (do tych węzłów równolegle względem siebie są dołączone także źródło sygnału i wejście wzmacniacza).

W punkcie c) wspólny węzeł to węzeł H oraz niezaznaczony węzeł, gdzieś na przewodzie masowym.


> Sprzężenie szeregowe, mamy gdy dla źródła sygnału, sprzężenia zwrotnego oraz wejścia wzmacniacza nie istnieje wspólny węzeł (nie mają wspólnego węzła).

Tak?

4. A co do tego odejmowania sygnałów. To mam taki przykład dla sprzężenia szeregowego.


W sprzężeniu szeregowym odejmujemy napięcia.
Obrazek

Po lewej stronie ilustracji mamy oryginalny schemat ze sprzężeniem napięciowo-szeregowym. Po prawej stronie ilustracji mamy schemat zastępczy lewej strony
ilustracji oraz wyjaśnienie odejmowania napięć w tym sprzężeniu. Czy o to chodzi?

I oczywiście na tej ilustracji napięcia: U_If = Uź , U_I = Uw , Uf = Us.

Czy to jest dobrze?

5. Ale, niestety nie wychodzi mi odejmowanie prądów w sprzężeniu równoległym.

Obrazek

Z I Prawa Kirchhoffa dla węzła A mamy: I1 + I2 = I3. To gdzie tu jest odejmowanie?
Dla węzła B mamy I3 = -I1 - I4.
To co ja tutaj robię nie tak jak należy?


Oczywiście Ig = I1 , If=I2 , I_I=I3.

6. Z tym "przykładem", o który pytałem, to mi nie chodzi szukanie dowodu. Tylko chciałbym zobaczyć/zaobserwować jak sprzężenie zwrotne wpływa na działanie jakiegoś obwodu (jak zmienia jego działanie, jak zmienia się w nim rozkład napięć/prądów). Ale, tutaj jak rozumiem nie zabardzo uda mi się to zaobserwować.
Załączniki
0_p.png
1q.png
v2.png
v2.png (37.89 KiB) Przejrzano 12316 razy

Jony130
Moderator
Posty: 3170
Rejestracja: 11 sie 2005, 16:33
Lokalizacja: wrocław

Post autor: Jony130 » 15 paź 2013, 17:59

AD1. W typowym sprzężeniu napięciowy, podajemy tylko draby ułamek napięcia wyjściowego z powrotem na wejście. Czyli na wejście podajmy próbkę sygnału wejściowego.

AD2
dobrze rozumiesz

AD3 - sprzężenie jest równoległa wtedy rezystor sprzężenia zwrotnego jest włączony między wyjścia a wejście odwracające (bazę w tranzystorze).


AD4 - dobrze rozumujesz

AD5
- Rwe = ∞ i wtedy wyjdzie odejmowanie.

Ale tu chodzi o inne odejmowanie. Zauważ bowiem, że wzrost Iwe -->wzrost Iin co powoduje zmniejszenie If a tym samym sumaryczny prąd Iin jest mniejszy niż byłby w przypadku gdyby IF był stały.

AD6. Ciężko to zobaczyć bo, przecież można analizować dany układ bez znajomość teorii sprzężenia zwrotnego. Ta cała teoria to tylko dodatek by uprościć analizę układu ze sprzężeniem zwrotnym. I myślisz, że ja pamiętam te wszystkie rodzaje sprzężeń zwrotnych i ich właściwości?
Ja tylko pamiętam to dla sprzężenia napięciowego-szeregowego i równoległego.

Znacznie ważniejsza jest umiejętność rozpoznawania czy mamy do czynienia z ujemnym czy też z dodatnim sprzężeniem zwrotnym.

I tu masz zadanie domowe.
Rozpoznaj rodzaj sprzężenia zwrotnego (dodatnie/ujemne) dla tego układu.
Załączniki
2StageBJT_wFB.png
2StageBJT_wFB.png (1.88 KiB) Przejrzano 11289 razy

qwers
-
Posty: 37
Rejestracja: 15 gru 2012, 22:46
Lokalizacja: --

Post autor: qwers » 18 paź 2013, 17:51

Witam!
Przepraszam, że tak długo nie odpowiadałem, ale nie zabardzo mogłem.


1. Moja analiza (uproszczona) tego układu jest następująca:

Zakładam, że napięcie wejściowe (Uwe) do układu doprowadzamy poprzez dołączenie źródła sygnału wejściowego równolegle do rezystora R2.

Gdy rośnie napięcie wejściowe (Uwe), to wzrasta też prąd bazy Q1 (Ib1), w efekcie czego wzrasta również prąd kolektora Q1 (Ic1). Wzrastający Ic1 wywołuje wzrost spadku napięcia na Rc1 i zmniejszanie się napięcia Uce1 (napięcia kolektora , zmniejsza się napięcie Uc1). W efekcie wzrostu prądu Ic1 rośnie też Ie1 (prąd emitera Q1), a to powoduje wzrost Ue1 (wzrost napięcia emitera) i zwiększanie się spadków napięcia na Re11 i Re1.

Zmniejszające się napięcie Uc1 (czyli Uce1) powoduje zmniejszenie się napięcia na na R4, a co za tym idzie zmniejsza się sumaryczny spadek napięcia w gałęzi ze złączem baza-emiter Q2 (zmniejsza się Ube2), Re12 i Re2 (czyli spadają napięcia Ube2, Ure12 i Ure2). Zmniejszające się napięcie baza-emiter Q2 przekłada się na zmniejszanie się prądu bazy Q2 (zmniejsza się Ib2). Mniejszy Ib2 pociąga za sobą zmniejszenie się Ic2 i wzrost Uce2 (wzrost napięcia kolektor-emiter Q2), a to powoduje mniejszy prąd w obwodzie emitera Q2 i w efekcie mniejsze spadki na Re12 i Re2 oraz mniejsze napięcie emitera Q2 (czyli mniejsze Ue2).

Mniejsze napięcie emitera Q2 (mniejsze Ue2) prowadzi do mniejszego spadku napięcia na Rfb, a to prowadzi do mniejszego prądu przepływającego przez rezystor Rfb. Mniejszy prąd w gałęzi z rezystorem Rfb, oznacza, że mniejszy prąd z tej gałęzi wpłynie do węzła (węzeł przy emiterze Q1, do którego dołączony jest Rfb)) w obwodzie emitera Q1. Oznacza to, że mniejszy prąd będzie płynął przez Re11 i Re1, a to przełoży się na mniejsze spadki na Re11 i Re1. Mniejsze spadki na tych rezystorach oznaczają większe Ube1, a to przekłada się na większy prąd bazy Q1 (wzrost Ib1).

Czyli mamy doczynienia z dodatnim sprzężeniem zwrotnym.



Czy ta analiza jest prawidłowa, bo ja niestety nie jestem pewien jej poprawności?


2. Próbowałem też obliczyć rozkład napięć i prądów w tym obwodzie. Za pomocą praw Kirchhoffa można to zrobić, ale czy nie istnieje jakiś prostszy (i przede wszystkim szybszy sposób) na analizowanie takich układów (troszkę już złożonych)? Szczególnie całą analizę utrudnia ten rezystor Rfb.

Czy jest jakiś prostszy sposób (opórcz praw Kirchhoffa) pozwalający na analizowanie układów z wieloma (kilkoma) tranzystorami?

3. Pamiętam, że kiedyś ktoś mówił, że symulatory opierają się na zmodyfikowanej metodzie potencjałów węzłowych (MPW). Czy to prawda i jeśli tak to czy ta "zmodyfikowana" metoda nadaje się do obliczania dowolnych obwodów przez człowieka?

4 Ja wiem, że metody potencjałów węzłowych, superpozycji, prądów oczkowych, tw. Thevenina, twierdzenie Nortona służą do obliczania obwodów liniowych. Ale, czy istnieje jakiś sposób zastosowania ich do obliczania obwodów z tranzystorami? Zdaje mi się, że jakiś czas temu widziałem chyba na tym forum, jak ktoś stosował metodę potencjałów węzłowych do obwodu z tranzystorem.

Jony130
Moderator
Posty: 3170
Rejestracja: 11 sie 2005, 16:33
Lokalizacja: wrocław

Post autor: Jony130 » 18 paź 2013, 19:05

AD1 - Bardzo dobrze ci poszło. Ja osobiście wole to robić trochę inaczej. Mianowicie robię to od strony wyjścia. Czyli zakładam wzrost napięcia w węźle 4 (emiter Q2). Co owocuje wzrostem napięcia w emiterze Q1. Co "przytyka" Q1 i w ostateczności napięcie na korektorze Q1 też rośnie. A to powoduje wzrost napięcia na bazie Q2 i tak samo na emiterze.
Czyli wzrost napięcia na emiterze Q2 powoduje że napięcie to rośnie jeszcze bardziej. Czyli dodatnie sprzężenie zwrotne.

AD2
Oryginalny schemat był znacznie łatwiejszy w analizie stałoprądowej. Zresztą nie przejmuj się zbytnio, bo znacznie łatwej projektuje się taki układy niż oblicza punkt pracy gotowego już schematu.
AD3
Pewnie tak, ale czy umiesz rozwiązać ręcznie macie 4x4 i większe?
Ja osobiście uważam to za stratę czasu, i korzystam z symulacji komputerowej.
AD4 Można te wszystkie metody stosować do obliczeń układów zawierających tranzystory. Trzeba po prostu stosować "liniowy" modele tranzystora. Odpowiedni dla prądu stałego i prądu zmiennego.

qwers
-
Posty: 37
Rejestracja: 15 gru 2012, 22:46
Lokalizacja: --

Post autor: qwers » 19 paź 2013, 9:12

No dobrze.

1. A czy mógłbym prosić o przedstawienie mi tej "zmodyfikowanej" metody potencjałów węzłowych? "Zwykłą" MPW znam.

2.
PYTANIE:
4 Ja wiem, że metody potencjałów węzłowych, superpozycji, prądów oczkowych, tw. Thevenina, twierdzenie Nortona służą do obliczania obwodów liniowych. Ale, czy istnieje jakiś sposób zastosowania ich do obliczania obwodów z tranzystorami? Zdaje mi się, że jakiś czas temu widziałem chyba na tym forum, jak ktoś stosował metodę potencjałów węzłowych do obwodu z tranzystorem.
ODPOWIEDŹ:
AD4 Można te wszystkie metody stosować do obliczeń układów zawierających tranzystory. Trzeba po prostu stosować "liniowy" modele tranzystora. Odpowiedni dla prądu stałego i prądu zmiennego.

Czy chodzi o modele takie jak te na rysunkach 11 oraz 8.11, a także 8.12 (w załączniku).
Do tych modeli należą także np. model hybrid Π (inaczej schamt zastępczy typu Π). Tak?
Oczywiście wiem, że są jeszcze inne.


I teraz tak.
To, który z tych modeli dobrze nadaje się do analizy stałoprądowej układów złożonych z wieloma tranzystorami (w tym również takich jak ten z zadania domowego)?
Chodzi mi obliczanie rozkładu prądów oraz napięć w obwodzie dla prądu stałego.
Czy da się wybrać taki model, który nadawał by się do analizy takich złożonych układów zarówno do stanu aktywnego, zatkania, jak i stanu nasycenia tranzystora?



3. Czy mógłbym prosić o pokazanie mi jak stosować taki uproszczony model do obliczania rozkładu napięć i prądów z wykorzystanie jednej z metod (np. MPW, albo prawa Kirchhoffa) obliczania obwodów liniowych w obwodzie np. takim jak ten poniżej:

Hfe dla T1 i T2: β1 = 100 i β2=100
Obrazek

Oczywiście potrafię policzyć ten układ w oparciu o Prawa Kirchhoffa.
Ale, mi przedewszystkim chodzi o przedstawienie stosowania schematu zastępczego (modelu).

4. I mam rozumieć, że schematy zastępcze z rysunków Rys.11 (model tranzystora jako sterowanego źródła prądowego) i Rys.8.12 oraz Rys.8.11a (model diodowy) wynikają z modelu Ebersa-Molla?
Załączniki
33.png
Rysunki 8.11 oraz 8.12
3.png
Rysunek 11
3.png (10.18 KiB) Przejrzano 11190 razy
8.png
Układ
8.png (7.08 KiB) Przejrzano 11190 razy

Jony130
Moderator
Posty: 3170
Rejestracja: 11 sie 2005, 16:33
Lokalizacja: wrocław

Post autor: Jony130 » 19 paź 2013, 12:45

qwers pisze: 1. A czy mógłbym prosić o przedstawienie mi tej "zmodyfikowanej" metody potencjałów węzłowych? "Zwykłą" MPW znam.
Ja za bardzo też tej metody nie znam wiec ci w tym nie pomogę. "Komputery" ją stosują bo im jest łatwo rozwiązywać duże macierze, co dla nas nie jest takie łatwe.
qwers pisze: Czy chodzi o modele takie jak te na rysunkach 11 oraz 8.11, a także 8.12 (w załączniku).
Do tych modeli należą także np. model hybrid Π (inaczej schamt zastępczy typu Π). Tak?
Oczywiście wiem, że są jeszcze inne.
Tak chodzi o te modele.
qwers pisze:To, który z tych modeli dobrze nadaje się do analizy stałoprądowej układów złożonych z wieloma tranzystorami (w tym również takich jak ten z zadania domowego)?
Chodzi mi obliczanie rozkładu prądów oraz napięć w obwodzie dla prądu stałego.
Ten z rysunku 8.12b lub 8.12c gdy z obliczeń wyjdzie, że tranzystor jest nasycony.
qwers pisze:Czy da się wybrać taki model, który nadawał by się do analizy takich złożonych układów zarówno do stanu aktywnego, zatkania, jak i stanu nasycenia tranzystora?

No niestety nie ma tak dobrze. Na początek trzeba przyjąć jakieś wstępne założenie. I np. założyć że wszystkie tranzystory pracują w stanie aktywnym. I potem po wykonaniu obliczeń konieczna jest weryfikacja tych że obliczeń, i w razie czego zmiana "modelu" tranzystora.
Prawda jest tak, że ręcznie takie obliczenia mają sens tylko dla układu zawierającego nie więcej niż 2 tranzystory. Potem ręczne obliczenia są tak kłopotliwe i podatne na błąd, że nikt tego nie robi.
Musisz pamiętać, że inżynierowie to bardzo leniwe stwory, i robią wszytko by uniknąć skomplikowanych obliczeń. I dzielą skomplikowane układy na kawałki łatwiejsze do analizy. Albo zakładają Hfe = ∞ czyli prąd bazy = 0A.
https://forum.elportal.pl/viewtopic.php?p=74954#74954
qwers pisze:3. Czy mógłbym prosić o pokazanie mi jak stosować taki uproszczony model do obliczania rozkładu napięć i prądów z wykorzystanie jednej z metod (np. MPW, albo prawa Kirchhoffa) obliczania obwodów liniowych w obwodzie np. takim jak ten poniżej:

Hfe dla T1 i T2: β1 = 100 i β2=100

Oczywiście potrafię policzyć ten układ w oparciu o Prawa Kirchhoffa.
Ale, mi przedewszystkim chodzi o przedstawienie stosowania schematu zastępczego (modelu).

Po prostu zastępujesz tranzystory modelem 8.12b to takie trudne?
I czy to w ogóle jest konieczne dla tak prostego układu? Przecież w tym "modelu" chodzi oto by złącze Ube reprezentować jako źródło napięcia stałego 0.6V a obwód kolektor-emiter jako sterowane prądem bazy źródło prądowe. I to właśnie z automatu robimy pisząc równania na dowolną metodę, bez konieczności rysowania samego modelu.

qwers
-
Posty: 37
Rejestracja: 15 gru 2012, 22:46
Lokalizacja: --

Post autor: qwers » 19 paź 2013, 18:01

1.
Musisz pamiętać, że inżynierowie to bardzo leniwe stwory, i robią wszytko by uniknąć skomplikowanych obliczeń. I dzielą skomplikowane układy na kawałki łatwiejsze do analizy. Albo zakładają Hfe = ∞ czyli prąd bazy = 0A.
A jak to jest z tym dzieleniem układu na kawałki?
Przecież jeśli elementy są ze sobą połączone to prądy na tych początkowych zależą również od tych dalszych elementów. Np. tak jak w tym prostym układzie z dwoma tranzystorami (plik: 8.png) - prąd na I1 (prąd na Rc) zależy od prądu bazy drugiego tranzystora.
Te układ może nie jest najlepszym przykładem, tutaj dzielenie na kawałki nie ma sensu, ale jak byłby bardziej złożony układ to jak tworzy się taki podział?

2. A o co chodzi z tym założeniem, że Hfe = ∞ czyli prąd bazy = 0A ?
Jak prąd bazy tranzystora będzie równy to tranzystor nie będzie przewodził.
To co tym uzyskają?

3. I jeszcze jedno tak na marginesie. Jedyny model, który pozwala analizować 4 stany pracy (czyli wszystkie) tranzystora jest model Ebersa-Molla w wersji przedstawionej (pełny schemat) na rysunku 8.11 b ? To jest uniwersalny schemat do wszystkich stanów pracy? Tak?

Jony130
Moderator
Posty: 3170
Rejestracja: 11 sie 2005, 16:33
Lokalizacja: wrocław

Post autor: Jony130 » 19 paź 2013, 21:26

qwers pisze: A jak to jest z tym dzieleniem układu na kawałki?
Przecież jeśli elementy są ze sobą połączone to prądy na tych początkowych zależą również od tych dalszych elementów. Np. tak jak w tym prostym układzie z dwoma tranzystorami (plik: 8.png) - prąd na I1 (prąd na Rc) zależy od prądu bazy drugiego tranzystora.
Te układ może nie jest najlepszym przykładem, tutaj dzielenie na kawałki nie ma sensu, ale jak byłby bardziej złożony układ to jak tworzy się taki podział?
Bloki oddzielone kondensatorem można analizować osobno. Albo gdy Rc <<RL
qwers pisze:2. A o co chodzi z tym założeniem, że Hfe = ∞ czyli prąd bazy = 0A ?
Jak prąd bazy tranzystora będzie równy to tranzystor nie będzie przewodził.
To co tym uzyskają?

Chodzi oto by właśnie założyć że tranzystor jest otwarty mimo tego że Ib = 0A ale Ube>0.6V. Przecież z reguły wystarczy jedno spojrzenie na schemat by powiedzieć czy tranzystor będzie otwarty czy nie
Ten przykład nic cie nie podpowiada?
https://forum.elportal.pl/viewtopic.php?p=74954#74954
qwers pisze: 3. I jeszcze jedno tak na marginesie. Jedyny model, który pozwala analizować 4 stany pracy (czyli wszystkie) tranzystora jest model Ebersa-Molla w wersji przedstawionej (pełny schemat) na rysunku 8.11 b ? To jest uniwersalny schemat do wszystkich stanów pracy? Tak?
Niby tak.
Ale spróbuj sam rozwiązać takie oto zadanie

Obrazek

Dla tego prostego układu Rb = 500K ; Rc = 1K i korzystając z równania shockleya
Ic=Is*(e^(Vbe/VT)) wyznacz punkt pracy tego prostego układu.
Zakładając Is = 10x10^-15 ; VT = 26mV i β = 50

qwers
-
Posty: 37
Rejestracja: 15 gru 2012, 22:46
Lokalizacja: --

Post autor: qwers » 20 paź 2013, 11:40

Zakładam, że Ube = 0.6V.

Przybliżony maksymalny prąd kolektora:
Ic_max= 10V/1000Ω = 10mA

Korzystam z równania W. Shockley'a:
Ic = 10•10^(-15) • [ e^(0.6/0.026) ] ≈ 0.000105 A ≈ 105µA (obliczone w WolframAlpha)



I tu widać, że jest coś nie tak.

Bo przecież wystarczy policzyć, że
przybliżony Ib = 10V/500kΩ ≈ 20µA
więc przybliżona wartość Ic = β • Ib, czyli Ic = 50 • 20µA = 0,001A = 1mA .

To co ja zrobiłem źle z tym równaniem W. Shockley'a?
Oczywiście litera "e" we wzorze oznacza liczębę e (inacz. liczbę Eulera, albo jak ktoś woli liczbę Nepera).

To jedna kwestia, a druga to dlaczego nie korzystamy tutaj ze schematu zastępczego takiego jak na rys. 8.11 b (i ze wzorów przedstawionych tam).
Ja bym skorzystał z tego schematu oraz z tych wzorów tam podanych, ale nie wiem co wstawić za zmienne, które tam są (tj. I_EBO, I_CBO, U_BC, α_I , α_N)?

Jony130
Moderator
Posty: 3170
Rejestracja: 11 sie 2005, 16:33
Lokalizacja: wrocław

Post autor: Jony130 » 20 paź 2013, 12:02

Zakładam, że Ube = 0.6V.

Przybliżony maksymalny prąd kolektora:
Ic_max= 10V/1000Ω = 10mA

Korzystam z równania W. Shockley'a:
Ic = 10•10^(-15) • [ e^(0.6/0.026) ] ≈ 0.000105 A ≈ 105µA (obliczone w WolframAlpha)



I tu widać, że jest coś nie tak.

Bo przecież wystarczy policzyć, że
przybliżony Ib = 10V/500kΩ ≈ 20µA
więc przybliżona wartość Ic = β • Ib, czyli Ic = 50 • 20µA = 0,001A = 1mA .

To co ja zrobiłem źle z tym równaniem W. Shockley'a?
Oczywiście litera "e" we wzorze oznacza liczębę e (inacz. liczbę Eulera, albo jak ktoś woli liczbę Nepera).
Twój błąd polega na tym, że z góry założyłeś jakąś wartość Ube wziętą z kosmosu.
Teraz przekształcając ten wzór by wyznaczyć Ube
Vbe = VT*ln(Ic/Is)
Jak widać Vbe zależy od prądu kolektora a z kolei prąd kolektora zależy od Ube . I teraz jak to rozwiązać? Masz jakiś pomysł?
qwers pisze:To jedna kwestia, a druga to dlaczego nie korzystamy tutaj ze schematu zastępczego takiego jak na rys. 8.11 b (i ze wzorów przedstawionych tam).
Ja bym skorzystał z tego schematu oraz z tych wzorów tam podanych, ale nie wiem co wstawić za zmienne, które tam są (tj. I_EBO, I_CBO, U_BC, α_I , α_N)?
Bo te wzory nie mają żadnego praktycznego zastosowania, za dużo niewiadomych.

qwers
-
Posty: 37
Rejestracja: 15 gru 2012, 22:46
Lokalizacja: --

Post autor: qwers » 20 paź 2013, 12:20

Nie za bardzo mam pomysł.

jedyne co wiem, to to, że Ic= α_N * Ie + I_CBO * [e^(Ubc/U_T)-1] oraz Ie= α_I * Ic + I_EBO * [e^(Ube/U_T)-1], a także:

α_I - współczynnik wzmocniecnienia prądowego w stanie inwersywnym,
α_N - współczynnik wzmocnienia prądowego w stanie aktywnym
U_T - potencjał elektronikientyczny (chyba)
I_EBO - prąd zerowy baza-emiter spolaryzowanego w kierunku zaporowym, przy niepodłączonym kolektorze
I_CBO - prąd zerowy złącza baza-kolektor spolaryzowanego w kierunku zaporowym przy niepodłączonym emiterze

oraz to, że α_N * I_EBO = α_I * I_CBO.

To już wszystko co wiem.


Czyli co mam rozumieć, że jeśli cokolwiek takie obliczenia miały by dać, to trzeba by wyznaczyć to dla konkretnego egzemplarza danego tranzystora (zakładając, że dadzą one jakieś wyniki zgodne z rzeczywistością)?

A da się to jakoś policzyć?

Jony130
Moderator
Posty: 3170
Rejestracja: 11 sie 2005, 16:33
Lokalizacja: wrocław

Post autor: Jony130 » 20 paź 2013, 13:09

jedyne co wiem, to to, że Ic= α_N * Ie + I_CBO * [e^(Ubc/U_T)-1] oraz Ie= α_I * Ic + I_EBO * [e^(Ube/U_T)-1], a także:

α_I - współczynnik wzmocniecnienia prądowego w stanie inwersywnym,
α_N - współczynnik wzmocnienia prądowego w stanie aktywnym
U_T - potencjał elektronikientyczny (chyba)
I_EBO - prąd zerowy baza-emiter spolaryzowanego w kierunku zaporowym, przy niepodłączonym kolektorze
I_CBO - prąd zerowy złącza baza-kolektor spolaryzowanego w kierunku zaporowym przy niepodłączonym emiterze

oraz to, że α_N * I_EBO = α_I * I_CBO.

To już wszystko co wiem.
O tym możesz w ogóle zapomnieć i tak ci si to do niczego nie przyda, większość z tych parametrów nie znasz. Co gorsza zależą ona też od temperatury i oczywiście każdy tranzystor będzie miał troszczę inne ter parametry. Tak jak mówię te wzory nie mają żadnego praktycznego zastosowania.

Na dodatek ty sobie z uproszczonym wzorem nie umiesz poradzić Ic = Is*(e^(Vbe/VT))) A ci się marzy rozwiązywanie bardziej zawiłych wzorów gdzie jeszcze dochodzą kolejne niewiadome.

Prawda jest taka, że to są równania nieliniowe, których nie da się rozwiązać analitycznie.
Trzeba stosować jakieś inne metody rozwiązywania, głównie metody numeryczne albo ręcznie za pomocą iteracji.

Proces iteracji mógłby wyglądać tak:

Ib = (Vcc - Vbe)/RB = 10V/500K = 20µA (1)

Ic = 20µA•50 = 1mA

Teraz obliczam

Vbe = VT*ln(Ic/Is) (2)

Vbe = 26mV• ln(1mA/10fA) = 658.539mV

Teraz obliczamy nową wartość Ib

Ib = (Vcc - Vbe)/RB = 18.682µA

Nowa wartość Ic = 0.934146mA

To nową wartość wstawiamy do wzoru 2.

Vbe = 656.768mV

I dolej obliczamy nową wartość Ib i Ic

Ic = 0.934323mA

I nowa Vbe

Vbe = 656.773mV


Ic = 0.934323mA

Vbe = 656.773mA

I tu już możemy zakończyć nasze iteracje bo wynika się powtarza.
Poprzednio mieliśmy Vbe = 656.773mV i teraz praktycznie też.

Czyli ostateczny wynik to

Vbe = 656.773mV
i Ic = 0.934323µA

I tak oto "ręcznie" można sobie radzić z nieliniowymi równaniami.
Oczywiście komputer numerycznie daje takie wyniki

Vbe = 0.6567730680792901V
Ic = 0.934322693192071µA

To też potraktuj jako ciekawostkę nie mająca za wiele wspólnego z praktyką.
To takie teoretyczne "aptekarskie" obliczenie nie mające dużego pokrycia w rzeczywistości.

qwers
-
Posty: 37
Rejestracja: 15 gru 2012, 22:46
Lokalizacja: --

Post autor: qwers » 27 paź 2013, 10:19

Przemyślałem sobie kilka rzeczy i mam rozumieć, że chodzi oto, abym w szczególności na samym początku zaczął podchodzić do sprawy intuicyjnie i, abym przede wszystkim analizował obwody w sposób intuicyjny. Tak mam to rozumieć?

Skoro tak, to muszę się zapytać o kilka bardzo podstawowych (elementarnych) spraw, które jeszcze chyba nie dokońca rozumiem, albo trochę nie dokońca sobie uświadomiłem. Trochę wstyd, że jeszcze tego nie zrozumiałem, ale niestety muszę się tego dowiedzieć.
Wiem, że dużo napisałem (nawet bardzo), ale chciałbym się upewnić co do kilku kwestii.



1. Najważniejsza kwestia i zarazem najbardziej podstawowa, o którą muszę zapytać i, o której wyjaśnienei chciałbym prosić. Wiem, że to są kompletne podstawy, ale ja pewnej kwestii z nich nie dokońca chyba zrozumiałem (albo nie dokońca sobie ją uświadomiłem). Ta tajemnicza kwestia dotyczy rozkładu potencjałów.

Mamy cztery rysunki P1, P2, P3 oraz P4.
Rysuneki P2 i P3 przedstawiają znaczenie uproszczone dwie sytuacje (układy zastępcze ze źródłem prądowym symulującym obwód kolektor-emiter) związane z układem z rysunku P1. Tranzystor ma wzmocnienie równe 100.


Obrazek Obrazek Obrazek Obrazek

I teraz tak. Weźmy rysunki P1. Gdy wrasta prąd bazy Ib, to zwiększa się też napięcie baza-emiter Ube, a co za tym idzie wzrasta też prąd kolektora Ic. Gdy wzrasta prąd kolektora Ic, to zwiększa się spadek napięcia na Rc (oznaczony jako Urc), a zmniejsza się napięcie kolektor-emiter Uce oraz zmniejsza się potencjał kolektora Uc (punkt C na rysunkach P1,P2,P3). Na skutek rosnącego prądu kolektora Ic rośnie też prąd emitera Ie, co za tym idzie rosną też spadki napięć na rezystorach emitera Ure1 i Ure2, wzrasta też potencjał emitera Ue (punkt E). Rysunek P2 przedstawia identyczną sytuację jak na rysunku P1 (z pominięciem prądu bazy). I w czym jest problem?

Ja rozumiem w pełni dlaczego rosną napięcia na rezystorach (na skutek wzrostu płynącego przez nich prądu), ale jakoś nie zabardzo rozumiem dlaczego zawsze (w takim układzie) spada potencjał kolektora, a dlaczego zawsze rośnie potencjał emitera? W tym jest mój problem. Oczywiście II Prawo Kirchhoffa znam i wiem, że suma spadków napięć na elementach odbiornikowym musi być równa napięciu źródeł zasilania. Czyli u nas Uzas = Urc + Uce + Ure1 + Ure2 .
Ale ja jakoś nie zabardzo wiem dlaczego potencjał kolektora zawsze spada, a potencjał emitera zawsze rośnie? Czy mógłbym prosić o wyjaśnienie mi tej bardzo ważnej kwestii?


Tak samo weźmy teraz rysunek P4. W punkcie a) mamy układ ze wspólnym emiterem tylko rezystancjami w dołączonymi do kolektora. I teraz gdy rośnie prąd kolektora, to spada potencjał kolektora (punkt C), oczywiście rosną spadki na rezystancjacjach kolektora.

W punkcie b) rysunku P4 mamy zaś układ ze wspólnym kolektorem (wtórnik emiterowy). I teraz tam, gdy rośnie prąd w obwodzie kolektora, to zawsze też rośnie potencjał emietra Ue (punkt E), rośnie też spadek napięcia na rezystancjach emiterach.

Dlaczego tak jest jest, że gdy rośnie prąd kolektora to wszystkie potencjały w części emitera rosną (punkty E oraz X z rysunku P4 b ), a w części kolektora maleją (punkty C oraz Z rysunku P4 a)?

Czy mógłbym prosić o wyjąnienie tego ważnego zagadnienia?


2. Dlaczego jest tak, że "przed" źródłem prądowym potencjały punktów maleją (punkty Q i W z rys. P4 c), a "za" źródłem prądowym rosną (punkty R i T z rys. P4 c)? Oczywiście to źródło prądowe symuluje źródło prądowe kolektor-emiter BJT.


3. Dlaczego napięcie na źródle prądowym (czyli napięcie Uce) maleje wraz ze wzrostem prądu tego źródła (tak jak np na rysunkach P2 i P3)?

Napięcie na źródle prądowym (czyli napięcie Uce na rysunkach P1,P2,P3,P4) wraz ze wzrostem prądu maleje ponieważ, na skutek wzrastającego prądu w gałęzi rosną spadki napięć na wszystkich pozostałych elementach odbiorczych, a II Prawo Kirchhoffa musi być zawsze spełnione. Wobec czego, gdy na pozostałych elementach odbiorczych rosną napięcia, a suma wszystkich napięć na odbiornikach musi być równa napięciu źródła zasilania to te wzrosty napięć na pozostałych elementach odbiorczyć odbywają się kosztem napięcia źródle prądowym (czyli zmniejsza się napięcie na źródle prądowym). Przyczym to źródło prądowe też w tym wypadku jest elementem odbiorczym, tyle że oprócz tego dostarcza też prądu, więc jest też i źródłem. Tak, prawidłowo to rumiem?

I właśnie tutaj źródło prądowe jest jednocześnie odbiornikiem i źródłem?


4. Teraz mam pytanie odnośnie rysunku P3. Z tranzystorem oczywiście wiem, że napięcie Uce nigdy w takiej sytuacji nie stanie się ujemne (tutaj wzrost prądu zatrzymał by się na poziomie maksymalnego prądu kolektora Ic_max). To wiem. Ale, mi chodzi tutaj o zwykły obwód, pomińmy fakt że źródło prądowe symuluje tutaj tranzystor i potraktujmy to jak zwykły obwód z ze źródłem prądowym.

I teraz tak. W zwykłym obwodzie, gdyby założyć że źródło prądowe idealne istnieje w rzeczywistości to wg mnie napięcie na tym źródle chyba nie stało by się nigdy ujemne (w przeciwieństwie do tego co pokazuje symulator). Ja rozumiem, że tutaj spadki napięć na elementach są tak duże, że aby suma napięć na wszystkich elementach odbiorczy (wliczając do nch źródło prądowe) była równa napięciu źródła zasilania (Uzas), to źródło prądowe musiało radykalnie obniżyć swoje napięcie (tutaj do ujemnego). Ale, w rzeczywistości do czegoś takiego nigdy by niedoszło (do czegoś takiego, czyli do pojawienia się napięcia ujemnego na elemencie, czy na źródle)? Tak? To jest nie możliwe? Na źródle prądowym nie może być ujemnego napięci w rzeczywistości?


5. Dlaczego tranzystor się nasyca?

Chodzi oto, że musi zostać spełnione II Prawo Kirchhoffa (suma spadków napięć naodbiornikach musi być równa sumie napięć źródłowych/zasilających). Czyli np. gdy mamy układ z tranzystorem o Hfe=100, Rc=1kΩ i napięciu zasilania kolektora Vcc=10V. To gdy Ib=90uA to Ic=9mA, Urc=9V i Uce=1V. Czyli spełnione jest równanie Vcc = Urc+Uce. Ale, gdy Ib wyniesie 110uA, to Ic będzie równe 11mA, więc wtedy Urc będzie równe 11V. To wtedy aby spełnić równanie Vcc = Urc+Uce, napięcie kolektor-emiter (Uce) musiało by się stać ujemne [musiało by być 10=11+(-1), a więc Uce musiało by wynieść (-1) V]. A to jest niemożliwe. A skoro nie można przekroczyć napięcia zasilania (10V), to oznacza, że maksymalny prąd kolektora (Ic) jaki będzie płynął przy Ib=110uA bedzie zależał od napięcia zasilania obwodu kolektor emiter Vcc, napięcia nasycenia Uce_sat i rezystancji kolektora Rc. Skoro musi zostać spełnione II Prawo Kirchhoffa to tranzystor chcąc przepuścić jak największy prąd kolektora będzie musiał obniżyć Uce do pewnej granicy (do Uce_sat) poniżej, której nie może już zejść (nie może bardziej obniżyć Uce) bo Uce musiało by się stać ujemne (aby II Prawo Kirchhoffa było spełnione), a osiągnięcie ujemnego napięcia na elemencie (ujemnego spadku napięcia na elemencie) przy zasilania dodatnim napięciem jest nie możliwe.

Czy oto chodzi? Takie jest prawidłowe wyjaśnienie tego zagadnienia?


6. Ja jeszcze na chwilę chciałbym wrócić do pewnej kwestii z układu:
Obrazek
Ja w swojej analizie tego nie napisałem, ale chciałbym prosić o potwierdzenie
mi jednej małej kwestii (chciałbym coś doprecyzować).
1. Moja analiza (uproszczona) tego układu jest następująca:

Zakładam, że napięcie wejściowe (Uwe) do układu doprowadzamy poprzez dołączenie źródła sygnału wejściowego równolegle do rezystora R2.

Gdy rośnie napięcie wejściowe (Uwe), to wzrasta też prąd bazy Q1 (Ib1), w efekcie czego wzrasta również prąd kolektora Q1 (Ic1). Wzrastający Ic1 wywołuje wzrost spadku napięcia na Rc1 i zmniejszanie się napięcia Uce1 (napięcia kolektora , zmniejsza się napięcie Uc1). W efekcie wzrostu prądu Ic1 rośnie też Ie1 (prąd emitera Q1), a to powoduje wzrost Ue1 (wzrost napięcia emitera) i zwiększanie się spadków napięcia na Re11 i Re1.

Zmniejszające się napięcie Uc1 (czyli Uce1) powoduje zmniejszenie się napięcia na na R4, a co za tym idzie zmniejsza się sumaryczny spadek napięcia w gałęzi ze złączem baza-emiter Q2 (zmniejsza się Ube2), Re12 i Re2 (czyli spadają napięcia Ube2, Ure12 i Ure2). Zmniejszające się napięcie baza-emiter Q2 przekłada się na zmniejszanie się prądu bazy Q2 (zmniejsza się Ib2). Mniejszy Ib2 pociąga za sobą zmniejszenie się Ic2 i wzrost Uce2 (wzrost napięcia kolektor-emiter Q2), a to powoduje mniejszy prąd w obwodzie emitera Q2 i w efekcie mniejsze spadki na Re12 i Re2 oraz mniejsze napięcie emitera Q2 (czyli mniejsze Ue2).

Mniejsze napięcie emitera Q2 (mniejsze Ue2) prowadzi do mniejszego spadku napięcia na Rfb, a to prowadzi do mniejszego prądu przepływającego przez rezystor Rfb. Mniejszy prąd w gałęzi z rezystorem Rfb, oznacza, że mniejszy prąd z tej gałęzi wpłynie do węzła (węzeł przy emiterze Q1, do którego dołączony jest Rfb)) w obwodzie emitera Q1. Oznacza to, że mniejszy prąd będzie płynął przez Re11 i Re1, a to przełoży się na mniejsze spadki na Re11 i Re1. Mniejsze spadki na tych rezystorach oznaczają większe Ube1, a to przekłada się na większy prąd bazy Q1 (wzrost Ib1).

Czyli mamy doczynienia z dodatnim sprzężeniem zwrotnym.
Spadł potencjał punktu 4 (napięcie emitera Q2, czyli zmniejszyło się napięci Ue2),a w tym czasie potencjał punktu 2 (napięcie emitera Q1) pozostwało jeszcze bez zmian. I teraz przez rezystor Rfb popłynął mniejszy prąd ponieważ, spadło napięcie na tym rezystorze. A napięcie na tym rezystorze spadło dlatego, bo spadł potencjał punktu 4 (potencjał punktu 2 się nie zmienił), więc zmiejszyła się różnica potencjałów między zaciskami tego rezystora (czyli napięcie na tym rezystorze). A skoro zmniejszyło się napięcie, to zaczął płynąć przez niego mniejszy prąd.

Czy to jest prawidłowe wyjaśnienie przyczyny zmniejszenia prądu płynącego przez Rfb?


7. Jakie znaczenie ma sposób sterowania układu (tzn. czy układ jest sterowny prądowo, czy napięciowo) i o co wtym chodzi? Pytam, bo w tym materiale z AGH o sprzężeniach (adres: http://home.agh.edu.pl/~maziarz/LabPE/sprzezenie.html#2), tam jest mowa, że np. układ ze sprzężeniem napięciowo-szeregowym powinien być sterowany napięciowo, itd. O co w tym chodzi i dlaczego tak? Jakie ma to znaczenie?


8. I poniekąd związane z poprzednim pytaniem - co powinno być przedewszystkim sygnałem wejściowym wzmacniacza - prąd czy napięcie (oczywiście wiadmo, że jak do wzmacniacza będzie dostarczany sygnał zmienny to prąd będzie płynął i napięcie też będzie, ale mi chodzi oto co powinno być tym czynnikiem syterującym tym wzmacniaczem)? Bo np. mamy wzmacniacz dźwięku i do niego doprowadzamy sygnał sterujący (jakaś muzyka). To tutaj tym czynnikiem sterującym wzmacniaczem jest prąd tego sygnału, czy napięcie tego sygnału, a może jedno i drugie na raz?


9. Chciałbym się zapytać o pewną kwestię dotyczącą nazewnictwa układów pracy tranzystora. Może nie jest to najważniejsza sprawa, ale może warto ją raz wyjąsnić. Otóż chodzi mi o skróty OB, OC, OE.

W polskiej literaturze elektronicznej można spotkać często spotkać oznaczanie np. układu wspólnego emitera jako układ OE, czy tam wspólnego kolektora jako układ OC. Takie oznaczania są też wykorzystane w cyklu artykułów "Tranzystory dla początkujących" P. Gróreckiego. I nie było by żadnego problemu, gdyby np. na anglojęzycznych stronach www nie stosowano oznaczeń tj. CC dla układu wspólnego kolektora (CC - ang. common collector), czy OB - wspólna baza (OB - ang. common base). Ja też gdzieś w internecie widziałem, że ktoś kiedyś napisał, że np. akronim OC miałby oznaczać otwarty kolektor (ang. open collector).

To jak to w końcu jest ze znaczeniem tych skrótów OE,OC,OB?
Co one w rzeczywistości oznaczają?


10. Co to jest otwarty kolektor w układach tranzystorowych?

Czy chodzi oto, że otwarty kolektor jest to wypuszczony przewód od kolektora na wyjście układu bez polaryzowania kolektora? Czyli kolektor tranzystora jest zasilany dopiero po dołączeniu odbiornika (i jest zasilany poprzez ten odbiornik). Coś takiego? Czy mógłbym prosić o dokładniejsze wyjaśnienie mi tego? Do czego to się stosuje/używa?

Jony130
Moderator
Posty: 3170
Rejestracja: 11 sie 2005, 16:33
Lokalizacja: wrocław

Post autor: Jony130 » 27 paź 2013, 12:50

qwers pisze: Przemyślałem sobie kilka rzeczy i mam rozumieć, że chodzi oto, abym w szczególności na samym początku zaczął podchodzić do sprawy intuicyjnie i, abym przede wszystkim analizował obwody w sposób intuicyjny. Tak mam to rozumieć?
Dokładnie tak.

AD1, 2, 3 - W sumie to sam sobie na to odpowiedziałeś, jest dokładnie tak jak piszesz.
Napięcie na RE rośnie gdy wzrośnie prąd emitera wynika wprost z prawa Ohma i z tego, że wszystkie napięcia w tym układzie mierzymy względem ujemnego bieguna zasilania.
Ve = Ie*Re

I dlatego też napięcie na kolektorze spada Vc = Vcc - Ic*Rc gdy rośnie spadek napięcia na rezystorze Rc.

No i nie bez powodu układ WK nazywamy wtórnikiem emiterowym.
Wszak na emiterze mamy napięcie na bazie minus Vbe
http://www.edw.com.pl/pdf/k01/38_04.pdf (koniecznie to przeczytaj)

Gdybyśmy natomiast mierzyli napięcia względem plusa zasilania. To mielibyśmy odwrotną sytuację.
Wraz ze wzrostem prądu, napięcie na kolektorze by rosła, bo teraz Vc = VRc a nie jak poprzednio Vc = Vcc - VRc. Za to na emiterze napięcie by malało.

A i pamiętaj, że tranzystor sam nie wytwarza (nie jest źródłem) prądu.
To z zasilacza pobierany jest prąd.


AD4 - Jak byś miał idealne źródło prądowe to napięcie mogło by być ujemne.
Bo w obwodach z idealnym źródłem prądowym o napięciu decyduje "obciążenie" i punkt względem którego mierzymy napięcie.

AD5 Jest dokładnie tak jak piszesz. Tranzystor się nasyca bo nie może już zapewnić by prąd kolektora był beta razy większy niż prąd bazy Ic = β*Ib.
Bo wymagało by to ujemnego napięcie Vce, co jest oczywiście niemożliwe.

AD6 Nie widzę żadnego błędu w twoim toku rozumowania.

AD7 Nie przejmuj się tym za bardzo.
W skrócie chodzi o charakter źródła sygnały. Źródło może być napięciowe o zerowej rezystancji wewnętrznej, czyli o nieograniczonej wydajności prądowej. Albo mieć charakter idealnego źródła prądowego .
I tak np. dla sprzężenia napięciowi-równoległego jak źródła Vin jest idealnym źródłem napięcia. To sprzężenie przez RF nie ma praktycznie wpływu na napięcie na bazie bo tylko Vin decyduje o napięciu na bazie.

AD8
W większości układach sygnałem jest napięcie i to "kształt" napięcia nas interesuje. I tak też jest we wzmacniaczach audio.

AD9
Tu masz to wyjaśnione
http://www.elektroda.pl/rtvforum/viewto ... 64#7575164

AD10 Otwarty kolektor to jeden z typów wyjścia stosowany w układach cyfrowych i niektórych komparatorach.
http://pl.wikipedia.org/wiki/Otwarty_kolektor

qwers
-
Posty: 37
Rejestracja: 15 gru 2012, 22:46
Lokalizacja: --

Post autor: qwers » 28 paź 2013, 13:15

1. Chciałbym prosić o sprawdzenie poprawności mojego rozumowania (i zrozumienia) dot. wiadomości o źródłach prądowych i napięciowych.


>> Idealne źródło napięciowe to element, na którego zaciskach występuje zawsze napięcie nominalne bez względu na dołączone do tych zacisków obciążenie. A, więc idealne źródło napięciowe nie posiada rezystancji wewnętrznej (Rwewnętrzna = 0 Ω, na której wystąpił by spadek napięcia na skutek przepływu prądu po obciążeniu. Wobec czego idealne źródło napięcia może dostarczyć do obciążenia prąd o nieskończenie wielkiem natężeniu (czyli dostarczyć prąd o dowolnej wartości, teoretycznie nawet nieskończenie wielkiej), a napięcie na zaciskach tego źródła napięcia nie ulegnie żadnej zmianie (pozostanie takie same). Czyli napięcie idelanego źródła napięciowego nie zależy ani od płynącego prądu, ani też od rezystancji obciążenia.

Obrazek


Gdy, do idealnego źródła napięcia dołączymy obciążenie (RL), to napięcie na zaciskach idealnego źródła napięcia się nie zmieni, a wartość prądu płynącego w tym obwodzie zależeć będzie tylko i wyłącznie od prawa Ohma (I=U/R). Napięcie się nie zmieni bo idealne źródło napięcia nie posiada rezystancji wewnętrznej (Rw=0Ω), na której wystąpił by spadek napięcia i obniżył by napięcie wyjściowe.


Rzeczywiste źródło napięcia składa się z szeregowo połączonej rezystancji wewnętrznej (Rw) i idealnego źródła napięcia. Rzeczywiste źródła napięcia to np. bateria,akumularor, zasilacz, element fotowoltaiczny, itp. W rzeczywistym źródle napięcia maksymalny prąd jaki może dostarczyć to źródło jest ograniczony przez rezystancję wewnętrzną. W rzeczywistym źródle napięcia, napięcie nominalne występuje na jego zaciskach tylko wtedy, gdy źródło to nie jest obciążone (stan pracy jałowej).

Czyli, gdy do rzeczywistego źródła napięcia dołączymy obciążenie (RL), to na skutek przepływu prądu o określonej wartości wystąpi spadek na rezystancji wewnętrznej (Rw) rzeczywistego źródła napięcia i na zaciskach tego źródła wystąpi napięcie mniejsze od nominalnego o wartość tego spadku na Rw. Czyli prąd w takim obwodzie obliczamy ze wzoru: I= Ui / (Rw+RL) , gdzie Ui oznacza napięcie na idealnym źródle napięcia.

Aby, wyznaczyć maksymalny prąd jaki może płynąć jaki może płynąć w obwodzie z rzeczywistym źródłem napięcia, czyli aby wyznaczyć maksymalną wydajność prądową tego źródła - należy zewrzeć jego zaciski. Wartość tego maksymalnego prądu obliczymy ze wzoru I=Ui/Rw . Napięcie w stanie zwarcia nadal pozostaje niezmienne i jest równe napięciu nominalnemu (dokładnie mówiąc jest równe napięciu nominalnemu idealnego źródła napięciowego wchodzącego w skład tego rzeczywistego źródła napięciowego).

Z tego też wynika, że im większą wydajność prądową ma rzeczywiste źródło napięcia tym ma ono mniejszą rezystancję wewnętrzną Rw. Np. akumulator samochodowy 12V ma mniejszy opór wewnętrzny Rw od baterii AA o napięciu 1.5V.

Obrazek


>> Idealne źródło prądowe to element, który zawsze dostarcza prąd o takiej samej wartości (wartości nominalnej źródła) bez względu na dołączone obciążenie (prąd wyjściowy idealnego źródła prądowego nie zależy od dołączonego obciążenia). Napięcie na zaciskach idealnego źródła prądowego zależy od dołączonego obwciążenia. Czyli idealne źródło prądowe może dostarczyć napięcia o dowolnej wartości (teoretycznie napięcie o nieskończenie wielkiej wartości) przy niezmiennej wartości prądu w obwodzie.

Napięcie na obciążonym idealnym źródle prądowym wyznaczamy ze wzoru U=Iź*RL , gdzie Iź - to nominalny prąd idealnego źródła prądowego, a RL to rezystancja obciążenia. A, więc gdy, do idealnego źródła prądowego dołączymy obciążenie (RL), to w obwodzie popłynie prąd o wartości nominalnej tego źródła, a napięcie na obciążeniu (a tym samym też na źródle prądowym) wyniesie U= Iź*RL .

W idealnym źródle prądowym wartość dostarczanego prądu nie zależy ani od przyłożonego napięcia, ani od rezystancji obciążenia (bo wartość prądu zawsze pozostaje niezmienna).*****************

W idealnym źródle prądowym wartość rezystancji wewnętrznej ma nieskończenie wielką wartość Rw= ∞ Ω, przyczym rezystancja wewnętrzna jest dołączona równolegle do źródła prądowego. A rezystancja o nieskończenie wielkiej wartości (Rw= ∞ Ω) oznacza rozwarcie (albo prawie rozwarcie) i to właśnie dlatego przy dołączeniu obciążenia do idealnego źródła prądu, to wartość tego obciążenia wyznacza spadek napięcia (na źródle i obciążeniu).

Gdy Rw= ∞ Ω, czyli Rw dąży do nieskończoności to odwrotność rezystancji (konduktancja) 1/Rw dąży do wartości równej 0. I to dlatego też prąd wyjściowy idealnego źródła prądowego nie jest zmniejszany przez Rw, ponieważ mamy Iwy = Iź - (U/R), więc gdy Rw = ∞ Ω, to ułamakek U/R = 0 i z tego otrzymujemy, że Iwy=Iź.


Rzeczywiste źródło prądowe składa się z równolegle dołączonej rezystancji wewnętrznej.
Im większa jest wartość tej rezystancji wewnętrznej tym, większy prąd może dostarczyć to rzeczywiste źródło prądowe do obwodu, ponieważ przy dołączeniu obciążenia do rzeczywistego źródła prądowego część prądu nominalnego płynie przez rezystancję wewnętrzną i wartość prądu wyjściowego (płynącego do obciążenia) jest mniejsza od wartości nominalnej o wartość prądu płynącego przez Rw.

Obrazek

A, więc gdy do rzeczywistego źródła prądowego dołączymy obciążenie RL to wartość prądu wyjściowego płynącego przez RL wyniesie Iwy = Iź - U*(1/Rw) albo Iwy = [Rw/(Rw+RL)] * Iź (dzielnik prądu). A napięciem wyjściowym U jest spadek napięcia na Rw lub na RL (na obu równe co do wartości i ten sam spadek napięcia też występuje wtedy na źródle prądowym).

Obrazek

Maksymalny prąd wyjściowy/maksymalna wydajność prądowa rzeczywistego źródła prądowego (czyli stan zwarcia) jest równa prądowi nominalnemu tego źródła prądowego (czyli prądowi nominalnemu idealnego źródła prądowego wchodzącego w skład tego rzeczywistego źródła prądowego).

Obrazek

W stanie jałowym (nieobciążonym) pracy rzeczywistego źródła prądowego prąd wyjściowy (prąd na wyjściu) oczywiście wynosi 0 A, a w gałęzi z rezystancją wewnętrzną Rw płynie prąd o wartości równej prądowi nominalnemu tego źródła prądowego (czyli wartości prądu idealnego źródła prądowego wchodzącego w skład rozpatrywanego rzeczywistego źródła prądowego).
Natomiast napięcie wyjściowe w stanie pracy jałowej jest równe spadkowi napięcia na Rw, czyli wynosi U=Iź*Rw.

Obrazek


>> Przekształcanie źródeł - równoważność źródeł

Idealne źródła nie podlegają konwersją. Czyli nie można przejształcić idealnego źródła napięciowego na idealne źródło prądowe i odwrotnie. Przekształcać można jedynie rzeczywiste źródła, czyli może zamienić rzeczywiste źródło prądu w rzeczywiste źródło napięcia i odwrotnie.

Mam rozumieć, że równoważność źródeł dotyczy ich parametrów wyjściowych, czyli
na wyjściu mamy otrzymać taki sam prąd i takie same napięcie (na odbiorniku oczywiście).
Przekształcane, czyli równoważne źródła muszą mieć równe rezystancje wewnętrzne (Rw).


Czy to co powyżej opisałem jest prawidłowe?


2. Czy w stanie zwarcia idealnego źródła prądowego napięcie na jego zaciskach będzie największe, czyli teoretycznie nieskończenie wielkie?


3. Jak wyznaczyć maksymalne napięcie, czyli maksymalną wydajność napięciową na rzeczywistym źródle prądowym?
Bo idealne źródło prądowe ma wydajność napięciową nieskończenie wielką, skoro może dostarczyć nieskończenie wielkiego napięcia, a jak jest z rzeczywistym źródłem prądowym.


4. Jak wydajność napięciowa rzeczywistego źródła prądowego zależy od rezystancji wewnętrznej. Tak jak już to wcześniej wspomniałem - im większa jest wartość tej rezystancji wewnętrznej tym, większy prąd może dostarczyć to rzeczywiste źródło prądowe do obwodu. A jak jest z napięciem.

Im większa jest rezystancja wewnętrzna Rw rzeczywistego źródła prądowego tym, większe jest napięcie wyjściowe i tym większa jest wydajność napięciowa tego rzeczywistego źródła prądowego? To jest prawidłowy wniosek?


5. Jakie są przykłady rzeczywistych źródeł prądowych?

Bateria jest rzeczywistym źródłem napięciowym. Nie można powiedzieć, że bateria jest źródłem prądowym? Tak, dobrze mówię?

Przykładem, rzeczywistych źródeł prądowych jest np. obwód kolektor-emiter tranzystora bipolarnego (jest źródło prądowe sterowane prądem bazy), tranzystorowe źródło prądowe, stabilizator. Tak? A są jeszcze inne jakie przykłady rzeczywistych źródeł prądowych?


6. Ja wcześniej napisałem - "W idealnym źródle prądowym wartość dostarczanego prądu nie zależy ani od przyłożonego napięcia"

I tutaj chodzi oto, że gdy do obwodu z idealnym źródłem prądowym (np. takim jak na rys. A) dołączymy źródło napięcia (czyli przyłożymy napięcie) np. dołączając baterię - to prąd w tym obwodzie się nie zmieni - co ilustruje rysunek B. Po przyłożeniu napięcia zmieni się tylko rozkład napięć w tym obwodzie.

Obrazek

Tak mam to rozumieć?


7. No dobrze. Ale, tak w jednym zdaniu o tym co to jest otwarty kolektor.

Obrazek

Otwarty kolektor oznacza, że z jakiegoś układu wyprowadzono np. przewód bezpośrednio podłączony tylko do kolektora jakiegoś tranzystora i ten przewód nigdzie nie został z niczym "po drodze" dołączony (w tym układzie) - co ilustruje rys. K1. Ten przewód nie został nigdzie np. spolaryzowany poprzez dołączenie poprzez rezystor do zasilania (w ten sposób oczywiście kolektor został by spolaryzowany) - tak jak na rys. K2. I wyjście typu otwarty kolektor dotyczy zawsze tylko tranzystorów pracujących w układzie wspólnego emitera.

I takie wyjście typu otwarty kolektor jeżeli chcemy go użyć, to musimy sobie albo go spolaryzować poprzez rezystor dołączony do zasilania (w myśl idei z rys. K2) albo podłączyć go w szereg z odbiornikiem (np. jakimś elementem wykonawczym) i źródłem zasilania (zgodnie z ideą przedstawioną na rys. K3 i wtedy zasilanie kolektora odbywać się będzie poprzez ten odbiornik).
W pierwszym przypadku (rys. K2) układ pełnił by rolę układu ustalającego na wyjściu stan logiczny (nisku lub wysoki), w drugim zaś (rys. K3) układ taki mógłby sterować elementem o innym napięciu zasilania niż układ z tym tranzystorem (rys. K4) albo mógłbym poprostu pełnić rolę włącznika/wyłącznika tego elementu.

Czy dobrze zrozumiałem?


8. Bo oczywiście zawsze gdy rośnie prąd bazy to rośnie napięcie baza-emiter i odwrotnie. Tak?

ODPOWIEDZ