To może od początku.Co to jest za wzór skąd on się bierze ?
K = Id/(Vgs - VT)² = 0.25
i chyba się pomyliłeś w oznaczeniach bo powinno być
K = Id/(Ugs - VT)² = 0.25
bo inaczej wychodzi "zakazane" równanie jeśli Vgs = 3 i Vt = 3
Ugs to różnica potencjałów pomiędzy bramką, a źródłem ?
Vgs - to napięcie potrzebne do otworzenia tranzystora. Czym jest VT ? spadkiem na tranzystorze ?
Prąd drenu tranzystora typu MOSFET w obszarze pracy aktywnej (nasyceniu), czyli gdy Uds >(Ugs - Ut) opisuje tak wzór
Id = K * (Ugs - Ut)²
Gdzie
Ugs - napięcie miedzy bramką a źródłem
I dla mnie Vgs to to samo co Ugs.
Ut - zwane a katalogu Vgs(th) to progowe napięcie otwierające tranzystor.
K - współczynnik zależny od fizycznych wymiarów tranzystora i innych jego fizycznych cech.
Współczynnik ten można obliczyć korzystając z danych katalogowych.
I tak dla IRF510
http://inst.eecs.berkeley.edu/~ee40/su1 ... IRF510.pdf
Odczytujemy że średnia wartość Vgs(th) = (2 + 4)/2 = 3V
A z rysunku 5, że dlaVgs = 5V mamy Id = 1A
W takim bądź razie współczynnik "K" wyniesie
K = Id/(Vgs - Vgs(th))² = 0.25
Ao - to wzmocnienie w otwartej pętli czyli wzmocnienie "gołego" wzmacniacza operacyjnego bez żadnego sprzężenia zwrotnego.
Jeśli Ao to wzmocnienie to czym jest K ?
Nie bardzo rozumiem pojęcie otwartej pętli

