M@ciej pisze:Czy ktoś mi może wytłumaczyć, dlaczego mosfety N się nie nadają,i jak sterować mosfety P?
Bo masz tranzystor podpięty od plusa zasilania. Tak samo jest z tranzystorami bipolarnymi, gdybyś miał użyć tutaj bipolarnego to też użył byś PNP a nie NPN. Chodzi o to, że bramka tranzystora mosfet musi być sterowana od źródła (tak jak baza bipolarnego od emitera) czyli o tym czy tranzystor jest włączony decyduje różnica potencjałów pomiędzy bramką a źródłem. Jeśli źródło tranzystora jest na sztywno połączone z którymś biegunem zasilania (z kanałem N źródło połączone z masą, a z kanałem P źródło połączone z + tak jak powinno być u Ciebie) to dużo łatwiej jest sterować tranzystorem bo napięcie progowe przełączania podawane na bramkę jest stałe względem zasilania. Jeśli zrobiłbyś tak jak na Twoim schemacie, to napięcie na źródle tranzystora nie byłoby stałe, zmieniałoby się w całym zakresie zasilania co uniemożliwiałoby bezpośrednie sterowanie bramki.
W przetwornicach impulsowych (które pracują na stałej, wysokiej częstotliwości) ten problem rozwiązuje się przez wykorzystanie transformatora sterującego bramkami tranzystorów - wtedy uzwojenie wtórne tego transformatora jest wpięte od źródła do bramki tranzystora i wtedy ten tranzystor może być w zupełnie dowolnym punkcie układu albo nawet poza nim (transformator izoluje galwanicznie) i będzie sterowany poprawnie.
M@ciej pisze:np. ze napięcie na bramce nie może przekroczyć bodajże 20V, co wynika z budowy wewnętrznej mosfeta.
Tak jest, przekroczenie dopuszczalnego napięcia może przebić bramkę i uszkodzić mosfeta.
