zadanie - nachylenie charakterystyki

bkw · Post autor: **bkw** » 10 sty 2011, 20:23

Witam

Mam problem z takim zadaniem:

Wykazać, że nachylenie charakterystyki bramkowej tranzystora MOSFET wynosi
s = (2/(U_P)^2) * sqrt ( I_DSS * I_D )

Moja próba rozwiązania:

charakterystyka opisana jest wzorem
s= dI_D / dU_GS

oraz

I_D=I_DSS (1- (U_GS/U_P) )^2

wyliczyłem więc pochodną cząstkową z I_D po U_GS

s = (2/(U_P)^2) * I_DSS (U_GS - U_P )

i to wszystko co mi przychodzi do głowy

Proszę o pomoc

Rachel · Post autor: **Rachel** » 10 sty 2011, 22:48

Male sprostowanie, tam chyba gm powinno być zamiast s, czyli transkonduktancja.

Zobacz sobie tu :
http://matematyka.pisz.pl/strona/357.html

Gdzie dokladnie pisze, ze f(x')=tg(alfa)

Pozdrawiam

bkw · Post autor: **bkw** » 13 sty 2011, 9:17

W moich materiałach jest podane gm=s= (dI_d/dU_GS)

Jesli pochodna cząstkowa jest dobrze wyliczona to jak zamienić ten wzór na postać podaną w zadaniu