Połączenie Drenu i Bramki w tranzystorze unipolarnym

[slawek55]

Mam trochę laickie pytanie.
Jak wytłumaczyć fakt, że połączenia Drenu z Bramką w tranzystorach unipolarnych powoduje pojawienie się napięcia pomiedzy D i S, które jest stabilne przy zmianach napięcia zasilania (oczywiście przy zabezpieczeniu rezystorem)?

[c4r0]

Masz na myśli wytłumaczenie obliczeniowe, czy takie bardziej "dla ludzi"? Po prostu im wyższe napięcie na bramce, tym mniejsza rezystancja złącza/kanału. Przy takim połączeniu zmniejszenie rezystancji złącza powoduje spadek napięcia bramki, co skutkuje wzrostem rezystancji złącza. Takie błędne koło - ujemne sprzężenie zwrotne. Dlatego sytuacja stabilizuje się przy jakimś napięciu, które wynika z właściwości samego tranzystora.

[Jony130]

Połączenie bramki z drenem zmienia JFET'a w diodę

[slawek55]

Wiesz o tyle mi to nie pasuje że w tym układzie robi się pomiar napięcia progowego tranzystora. Wolałbym wytłumaczenie obliczeniowe, choć takie "na chłopski rozum" też by sie przydało.

Przy okazji to podobny układ jest dla tranzystora bipolarnego i podobno działa jak dioda zenera o zwiększonej wydajności prądowej. Dlaczego?

[ Dodano: 2010-06-10, 19:34 ]

Połączenie bramki z drenem zmienia JFET'a w diodę

Mogę prosić o szcegóły? Wydajność i jaką diodę tzn o jakim napięciu i dlaczego podobnie łączy się bipolarne?

[Jony130]

Wiesz o tyle mi to nie pasuje że w tym układzie robi się pomiar napięcia progowego tranzystora

Pierwsze słyszę pokaż schemat?

Przy okazji to podobny układ jest dla tranzystora bipolarnego i podobno działa jak dioda zenera o zwiększonej wydajności prądowej

Coś pomieszałeś.
W BJT (NPN) mamy diodę Zenera ale jak przebijemy złącze emiter-baza.
Napięcie Ueb od 6V do 8.4V (średnio 8V) a dla przebicia na "złączu" emiter-kolektor napięcie Uec (6V do 7V).
I przebicie na "złączu" emiter-kolektor ma w pewnym zakresie prądów ujemną rezystancję.
W PNP Ueb jest w okolicy 10V i większe i Uec większe o 0.7V od Ueb i nie ma już ujemnej rezystancji.

I BJT można łączyć w połączenia diodowe zwierając kolektor do bazy.
I wtedy mamy diodę o napięciu przewodzenia 0.7V i tranzystor procuje w"aktywnie" ale mamy małe napięcie wsteczne równe Ueb.

Mogę prosić o szcegóły? Wydajność i jaką diodę tzn o jakim napięciu i dlaczego podobnie łączy się bipolarne?

Nie mam pojęcia.
Trzeba wziąć jakiegoś JFET'a i zmierzyć, ba ja żadnego teraz nie mama, ale nie omieszkam z ciekawości zmierzyć.

[edwacc]

Dla przykłądu weźmy JFET z kanalem N. Gdy podajemy na bramke napiecie wieksze niz 0,5-0,7V plynie przez nia prad. Jest to niedozwolony tryb pracy tranzystora JFET. Przy podlaczeniu bramki do drenu tranzystor zamienia sie w diodę i stad mniej wiecej stale napiecie 0,5-0,7V.

Jfety N sterujemy poprzez podawanie napiecia ujemnego wzgledem zrodla. Dzieki tej wlasciwosci latwo można zbudować na jednym tranzystorze JFET zrodlo pradowe lub napieciowe.

[slawek55]

Jony130 masz rację z tymi tranzystorami BJT. Pomieszałem i to strasznie.
Pomiędzy Bazą a Kolektorem powinna być dioda zenera i wtedy zapewne pomiędzy Kolektorem a Emiterem tworzy sie dioda zenera o zwiększonej wydajności prądowej. Choć dlaczego złącze B-E nie niszczy się?

[Jony130]

Pomiędzy Bazą a Kolektorem powinna być dioda zenera i wtedy zapewne pomiędzy Kolektorem a Emiterem tworzy sie dioda zenera o zwiększonej wydajności prądowej. Choć dlaczego złącze B-E nie niszczy się?

A czemu ma ulec zniszczeniu?
I nie zapomnij, że daje się też rezystor miedzy bazę a emiter.

[slawek55]

Spodziewałbym się prądu płynacego przez diodę zenera i bazę tranzystora i dlatego mówiłem o możliwości zniszczenia. W rzeczywistości prąd chyba płynie od kolektora do emitera.
W załączeniu ten układ o którym mówię.

I nie zapomnij, że daje się też rezystor miedzy bazę a emiter

W tym układzie tego nie ma?

Wytłumaczysz jak to działa i dlaczego?

[edwacc]

slawek55 tranzystor w takim ukladzie jaki pokazales nie ulegnie zniszczeniu, zakladajac oczywiscie ze podajemy napiecie ze zrodla o ograniczonej wydajnosci pradowej.
Z zalozenia spadek napiecia na kolektorze wynosi tyle, ile wynosi napiecie na diodzie zenera, a wiec posiada on pewien punkt pracy. CO istotne tranzystor nie może byc w stanie nasycenia, poniewaz napiecie na kolektorze wynosiloby 0V. Punkt pracy okresla między innymi prad bazy. Wystarczy spojrzec na charakterystyke tranzystora aby stwierdzic ze prad bazy dla tego punktu pracy jest niewielki, a przynajmniej nie majacy wartosci destrukcyjnej dla tranzystora.

[Jony130]

Ja tylko dodam, że miedzy bazę a emiter wstawia się rezystor przez który płynie te typowe 5mA potrzebne diodzie Zenera.
No i trzeba pamiętać, że do takiej "diody Zenera" konieczny jest szeregowy rezystor ograniczający prąd. Tak samo jak dla zwykłej diody.