I tu mnie kompletnie zamurowało bo autorzy przedstawili model zastępczy tranzystora na dwóch diodach.
Jest napisane tak:
A potem model zastępczy tranzystora PNP:
I tu moje pytanie:
Jak ten opis ma się do tego modelu na diodach?
Odwracamy polaryzację z NPN na PNP a więc i zmieniamy napięcia na przeciwne.
I mamy takie prawa:
1. Potencjał emitera musi być większy od potencjału kolektora.
2.W normalnych warunkach dioda BE jest spolaryzowana zaporowo, a dioda BC jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia.
Z teorii o diodach wiem, że żeby dioda była spolaryzowana w kierunku przewodzenia, na anodzie musi być większy potencjał niż na katodzie.
Czyli Ub>Ue bo dioda BE jest spolaryzowana zaporowo, zaś BC w kierunku przewodzenia czyli Uc>Ub.
Z tego wynika, że na kolektorze jest większy potencjał niż na emiterze co kłóci się z pierwszym prawem.
Proszę o wyjaśnienie.
.Choć tez kiedyś miałem z tym problem ale potem jak sie juz wie co i jak to z górki jest. W tranzystorze występują trudne fizyczne zjawiska - kłania sie fizyka krzemu itp .Ale da sie to ogarnąć bezboleśnie .Radzę poeksperymentować.