Wtórnik emiterowy - obliczenia, rozrzut parametrów

[novice]

Witam, mam pewne wątpliwości odnosnie obliczania rozrzutu parametrów ( napiecie na emiterze ) we wtórniku emiterowym na załączonym rysunku rysunku.

Otóż, przyjmijmy, że napiecie zasilające wynosi 10v => Ue ustalamy w połowie napięcia zasilającego, czyli 5V.
Aby Uc wynosiło 5V, musi plynąc przez niego prąd 5V/2200w=2,27mA
Przyjmijmy wzmocnienie = 50. Otrzymujemy prąd bazy 2,27mA/50=45uA

I teraz autor mowi, że prad plynacy przez rezystory dzielnika powinien być conajmniej kilkakrotnie wiekszy od spodziewanego najwiekszego pradu bazy.
Jednakze w tym zestawieniu maksymalny prąd dzielnika bedzie wynosil Idzmax=10/(47000+51000)=102uA

Kilkakrotnie, czyli 2,266 razy wiekszy?
Gdzieś tu jest błąd.

Chodzi mi o to, co sie stanie, jesli tranzystor wymienimy na model o wiekszym wzmocnieniu. Jak traktować traktować prąd bazy.

Szukając odpowiedzi trafiłem na stronę Wojtka, gdzie za pomocą thevininowskiego modelu zastępczego można obliczyć napięcia na emiterze, korzystając z wyprowadzonych wzorów na Ic i Ub i Rb

Ic=(Ub-Ube)/(Rc+Rb/b )
Ub=Ucc * ((R2/(R1+R2))=5,2V
Rb=R1||R2 = 24,5kw

Więc
Ic50=(5,2-0,6)/(2200+(24,5/50))=mA => Ue=1,7mAx2200=3,76V
Ic200=(5,2-0,6)/2200+(24,5/200))=1,98mA => Ue=4,35V
Ic1000=2,06mA=> Ue=4,49V

Czy to jest dobrze policzone? Tak właśnie zmienia się to napięcie?

Pan Górecki pisze również, że dla tego układu oporność wejściowa wynosi około 20kw. Czy chodzi tu o oporność bazy, czyli wyjścia dzielnika??
Bo licząc ze wzoru:
rwe=(b+1)*Re, otrzymujemy dla b50 51*2200=ok. 112kw. To jest rezystancja wejściowa tranzystora połączona z Rb?


Panika.

[Jony130]

Sprawa jest prosta.
Czym większy prąd dzielnika, tym napięcia na wyjściu dzielnika ( a tym samym nacięcie na bazie), będzie dążyć do:
Ub=Uzas*[R2/(R1+R2)]=5.2V
A tym samym prąd emitera będzie bliższy wartosci
Ie=(Ub-Ube)/Re≈2mA
Wiadoma nie nieobciążony dzielnik (Ib=0A; β=∞) Daje napięcie Ub.
A w mirę wzrostu Ib napięcie na wyjściu dzielnika spada.
Dla dla twojego przykładu by uzyskać:
Ie=5V/2.2KΩ=2.27mA
Ib=45uA
Dla R2=51KΩ mamy prąd
Idz=5.6V/51K=110uA
Więc R1 powiano wynosić
R1=(Uzas-Ub)/(Idz+Ib)=4.4V/155uA=27KΩ
Co da Ie=2.33mA i Ue=5.13V
Chyba to powiano być jasne
Dlatego w praktyce dajemy prąd dzielnika większy od Ib o ok. 3...30 zależnie od potrzeby (typowo 10 razy).

Teraz sprawa Rwe.
Rwe "widziana" z bazy w stronę tranzystora wynosi
RweT=(β+1)*(Re+re)≈113KΩ
A Rwe całego wzmacniacza wynosi: ("wdziana" przez źródło sygnału)
Rwe=R1||R2||RweT≈20KΩ

[novice]

Dzieki Jony! Czarne chmury ustępują.

Dobrze, że dopisałeś ta druga część, bo właśnie miałem wątpliwość dotyczącą w konsekwencji stosowanie tego dzielnika (51 + 47)k.

Czyli te obliczenia późniejsze, przy tym dzielniku są ok?

Skąd jest "re" we wzorze na RweT=(β+1)*(Re+re)?

[Jony130]

Czyli te obliczenia późniejsze, przy tym dzielniku są ok?

Tak są oki

Skąd jest "re" we wzorze na RweT=(β+1)*(Re+re)?

Bo emitera tranzystora ma "wbudowaną" rezystancje emitera (wewnętrzna rezystancja emiterowa) zwaną właśnie re (rezystancją "widziana" z emitera w stronę tranzystora)
I w temperaturze pokojowej wynosi ok re=26mV/Ic
Jak widać rezystancja ta zależy od punktu pracy tranzystora