Może mi ktoś przystępnie wytłumaczyć jak się dobiera tranzystory? Zawsze robiłem to jakoś instynktownie jednak przyszedł czas, że trzeba to policzyć :/ Rozchodzi się mianowicie o to, że mam układ w którym chcę sterować diodą IR za pomocą AVR. Z portu procesora steruje bramką tranzystora w którego obwodzie kolektora jest omawiana dioda wraz z odpowiednim rezystorem. Tak jak na rysunku:
[center]
[/center] Sterowanie odbywa się na zasadzie generacji fali nośnej 36 kHz przez załóżmy 1ms i przerwy w nadawaniu o takim samym czasie (tak żeby wypełnienie na odbiorniku było równe 50% ale to już inna historia). Z noty katalogowej wynika że maksymalny prąd na wyjściu uP to 40mA przy napięciu min 4.2V. Dioda natomiast to LD274 o prądzie 100mA i spadku napięcia około 1,7V a napięcie na kolektorze to 5V. Osobiście wstawiłem tam BC547B i wszystko działa na płytce prototypowej, jednak muszę to jakoś uzasadnić i nie bardzo wiem jak się do tego zabrać.
Praca impulsowa diody pozwala uzyskać na niej nawet ponad 2A o ile średni prąd nie przekracza 100mA. Czy tak samo działa to w przypadku tranzystorów? Wspomniany wcześniej 547 ma właśnie prąd kolektora 100mA a więc identycznie jak dioda.
I teraz nie wiem czy dobrze rozumuje ... zakładamy że maksymalny prąd chwilowy na diodzie będzie wynosił powiedzmy 1A to ze wzoru Ic=B*Ib obliczamy Ib i stosujemy odpowiedni rezystor ograniczający na bazie? No i jak w takim wypadku liczyć prąd średni? Czy tylko dla nośnej 36kHz czy razem z przerwą między nimi?
No i kolejne pytanie (chyba już ostatnie
[/center]
[/center]