Regulacja jasności świecenia led
W samochodzie na mikrokontrolerze nie będzie proste, trzeba prawidłowo odfiltrować zasilanie i nie można robić długich połączeń bezpośrednio z wyjść µK. Jak autor tego tematu jest początkującym elektronikiem to sam musi zdecydować co potrafi zrobić. Na NE555 można zrobić przełącznik na tranzystorach dołączających różne rezystory, ale to się zaczyna komplikować.
-
przemek.pluto
- -
- Posty: 46
- Rejestracja: 15 sty 2007, 21:35
- Lokalizacja: Konin
- Kontakt:
-
elektronWielki
- Użytkownik
- Posty: 247
- Rejestracja: 30 maja 2006, 12:45
- Lokalizacja: kontownia
rezystory R1 i R3 przyjmijmy ze maja 10MOhm, pozwoli to na uzycie jako C kontensatora MKT, ktory najbardziej nadaje sie do tego celu. pojemnosc - 100nF - 1uF co da kilkusekundowa stala czasowa ladowania.
Rezystory R2 i R4 nalezy dobrac doswiadczalnie tak, aby napiecie na kondensatorze nie siegalo od 0 do Vcc tylko w pewnych granicach, co wynika z charakterystyki tranzystora mosfet.
Chodzi o to, ze przy 0V na bramce diody LED nie swieca, natomiast przy napieciu rownemu Vcc diody swieca, poniewaz rezystancja kanalu w MOSFEcie bedzie bliska 0Ohm. Kiedys zatem prad drenu bedzie mial wartosc 100uA, 1mA, 10mA. Pradom tym beda odpowiadac pewne napiecia na bramce MOSFETa. I wlasnie ten przedzial nas interesuje a dokladniej wartosci graniczne:
U2 -> 10uA
U1 -> 40mA
na przyklad wezmy tranzystor BUZ10. Ponizej masz link do karty katalogowej tego tranzystora:
http://www.fm.vslib.cz/~kes/data/buz10.pdf
wedlug charakterystyki Transfer Characteristics ze strony 4 wyzej wymienionego dokumentu napiecie U1 bedzie wynosilo okolo 3.8V, natomiast napiecie U2 - okolo 3.0V. Przydalaby sie dokladniejsza charakterystyka, wtedy moznaby bylo precyzyjniej okreslic interesujace nas przedzialy napiecia UGS dla wybranych pradow ID.
tego rodzaju regulacja powoduje straty mocy - jest to cena za prostote ukladu. Dla pradu drenu rzedu kilku-kilkudziesieciu mA straty mocy beda niewielkie, ale ze wzrostem pradu tranzystor zacznie sie grzac. Kiedy bedzie sie bardzo grzal (duzo diod LED w obwodzie drenu badz zarowki) nalezy zastosowac radiatorek.
jesli nie rozumiesz tego co napisalem postaram sie wyjasnic dokladniej.
schemat (zdjecie wykonane komorka):
Rezystory R2 i R4 nalezy dobrac doswiadczalnie tak, aby napiecie na kondensatorze nie siegalo od 0 do Vcc tylko w pewnych granicach, co wynika z charakterystyki tranzystora mosfet.
Chodzi o to, ze przy 0V na bramce diody LED nie swieca, natomiast przy napieciu rownemu Vcc diody swieca, poniewaz rezystancja kanalu w MOSFEcie bedzie bliska 0Ohm. Kiedys zatem prad drenu bedzie mial wartosc 100uA, 1mA, 10mA. Pradom tym beda odpowiadac pewne napiecia na bramce MOSFETa. I wlasnie ten przedzial nas interesuje a dokladniej wartosci graniczne:
U2 -> 10uA
U1 -> 40mA
na przyklad wezmy tranzystor BUZ10. Ponizej masz link do karty katalogowej tego tranzystora:
http://www.fm.vslib.cz/~kes/data/buz10.pdf
wedlug charakterystyki Transfer Characteristics ze strony 4 wyzej wymienionego dokumentu napiecie U1 bedzie wynosilo okolo 3.8V, natomiast napiecie U2 - okolo 3.0V. Przydalaby sie dokladniejsza charakterystyka, wtedy moznaby bylo precyzyjniej okreslic interesujace nas przedzialy napiecia UGS dla wybranych pradow ID.
tego rodzaju regulacja powoduje straty mocy - jest to cena za prostote ukladu. Dla pradu drenu rzedu kilku-kilkudziesieciu mA straty mocy beda niewielkie, ale ze wzrostem pradu tranzystor zacznie sie grzac. Kiedy bedzie sie bardzo grzal (duzo diod LED w obwodzie drenu badz zarowki) nalezy zastosowac radiatorek.
jesli nie rozumiesz tego co napisalem postaram sie wyjasnic dokladniej.
schemat (zdjecie wykonane komorka):
- Załączniki
-
- schemat ideowy